| 摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·AlN材料 | 第8-12页 |
| ·AlN晶体结构与特性 | 第9页 |
| ·AlN材料的制备 | 第9-10页 |
| ·AlN材料的应用 | 第10-12页 |
| ·Si(111)衬底上AlN异质外延的难点 | 第12-14页 |
| ·论文的主要工作 | 第14页 |
| ·本章小结 | 第14-15页 |
| 参考文献 | 第15-16页 |
| 第二章 复合CVD生长系统 | 第16-27页 |
| ·CVD外延生长原理 | 第16-17页 |
| ·CVD材料生长设备的建设 | 第17-25页 |
| ·CVD生长设备结构简介 | 第17-19页 |
| ·MO源和载气气路的引入 | 第19-21页 |
| ·Al有机源气路的单独引入 | 第21页 |
| ·U形连接在气路中的运用 | 第21-25页 |
| ·复合型CVD材料生长系统的优点 | 第25页 |
| ·复合型CVD材料生长设备的初步调试 | 第25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-27页 |
| 第三章 Si(111)衬底AlN薄膜的生长研究 | 第27-43页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·AlN/Si(111)结构材料的成核层生长 | 第27-34页 |
| ·带成核层的AlN/Si结构的生长 | 第28-29页 |
| ·SEM形貌 | 第29-30页 |
| ·拉曼散射谱 | 第30-34页 |
| ·AlN/Si(111)结构的外延生长参数 | 第34-40页 |
| ·直接外延的AlN/Si(111)结构的生长 | 第34页 |
| ·SEM形貌 | 第34-36页 |
| ·拉曼散射谱 | 第36-39页 |
| ·Si衬底表面H_2处理方式对AlN薄膜质量的影响 | 第39页 |
| ·CL谱 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |
| 第四章 SiC/Si(111)复合衬底的生长 | 第43-54页 |
| ·引言 | 第43-45页 |
| ·SiC晶体结构与特性 | 第43-44页 |
| ·SiC材料作为衬底和缓冲层的应用 | 第44页 |
| ·SiC用作Si(111)上AlN外延生长缓冲层的可行性 | 第44-45页 |
| ·SiC/Si(111)复合衬底的制备和表征 | 第45-48页 |
| ·SiC/Si复合衬底制备流程 | 第45-46页 |
| ·SiC/Si复合衬底的SEM形貌 | 第46-47页 |
| ·SiC/Si复合衬底的XRD谱 | 第47-48页 |
| ·SiC/Si复合衬底的平面EDS表征 | 第48-52页 |
| ·平面EDS法修正原理 | 第48-51页 |
| ·SiC/Si复合衬底的修正EDS结果和评价 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 攻读硕士期间发表论文和申请专利目录 | 第56-57页 |