| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-11页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第8-9页 |
| ·课题相关研究的现状 | 第9-10页 |
| ·无损检测的发展情况 | 第9页 |
| ·应用背景之油井套管的应力检测 | 第9-10页 |
| ·本课题的任务 | 第10-11页 |
| 第2章 磁致伸缩效应和逆效应及压磁传感器 | 第11-19页 |
| ·磁致伸缩效应和逆效应 | 第11-12页 |
| ·压磁传感器的原理 | 第12-18页 |
| ·应力变化导致压磁传感器输出电压变化 | 第13-15页 |
| ·应力变化导致压磁传感器的阻抗变化 | 第15-18页 |
| ·本章小结 | 第18-19页 |
| 第3章 阻抗检测芯片AD5933 | 第19-32页 |
| ·AD5933 的管脚定义 | 第20-21页 |
| ·AD5933 内部结构分析 | 第21-24页 |
| ·内部寄存器定义及设置 | 第24-28页 |
| ·起始频率，频率增量，增量次数的计算和使用方法 | 第26-27页 |
| ·延迟时间寄存器 | 第27页 |
| ·状态寄存器 | 第27-28页 |
| ·控制寄存器中的各个命令，及整个测量流程 | 第28-29页 |
| ·AD5933 阻抗检测的基本原理 | 第29-30页 |
| ·实测某待测电阻 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第4章 基于嵌入式处理器的阻抗检测装置 | 第32-46页 |
| ·ARM 的Cortex 内核 | 第32-34页 |
| ·Cortex 内核简介 | 第32-33页 |
| ·ARM Cortex-M3 处理器技术特点 | 第33-34页 |
| ·基于Cortex-M3 的单片机STM32 | 第34-36页 |
| ·开发环境IAR EWARM 4.41A | 第36-38页 |
| ·程序部分 | 第38-44页 |
| ·必要的设置和必须使用到的片上外设 | 第38-39页 |
| ·调试STM32 的I~2C 出现的问题 | 第39-44页 |
| ·基于STM32 和AD5933 的嵌入式阻抗检测装置 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第5章 测试数据及数据分析 | 第46-63页 |
| ·AD5933 的精度测试及测试数据 | 第46-58页 |
| ·AD5933 参考手册上的不完善之处 | 第46-49页 |
| ·AD5933 的精度测试，数据和结论 | 第49-58页 |
| ·测量电容 | 第58-60页 |
| ·测量电感 | 第60-61页 |
| ·进一步提高小阻抗的测量精度的方法 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第6章 信号检测技术的发展趋势 | 第63-69页 |
| ·传感器组网是一种趋势 | 第63页 |
| ·ZigBee 技术的主要特点和网络结构 | 第63-68页 |
| ·Zigbee 的特点 | 第63-64页 |
| ·Zigbee 组网的范例 | 第64-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 结论 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |