| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 第1章 InGaAs 红外探测器的研究进展 | 第13-29页 |
| ·引言 | 第13-16页 |
| ·红外探测器的分类及应用 | 第16-19页 |
| ·红外探测器的分类 | 第16-18页 |
| ·红外探测器的应用 | 第18-19页 |
| ·In_(0.82)Ga_(0.18)As 材料的性质和基本参数 | 第19-23页 |
| ·InGaAs 探测器的国内外研究进展 | 第23-26页 |
| ·InGaAs 材料和器件研究中存在的问题 | 第26页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第26-29页 |
| 第2章 MOCVD 生长技术及常用的样品表征手段 | 第29-43页 |
| ·MOCVD 技术 | 第29-33页 |
| ·MOCVD 技术的发展 | 第29-30页 |
| ·MOCVD 技术的应用 | 第30页 |
| ·MOCVD 的原理及特点 | 第30-31页 |
| ·MOCVD 的生长系统 | 第31-33页 |
| ·常用的样品表征手段 | 第33-42页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第33-35页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第35-36页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第36-37页 |
| ·光致发光（PL） | 第37-38页 |
| ·喇曼散射（Raman Scatter） | 第38-39页 |
| ·霍尔效应（Hall Effect） | 第39-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第3章 高质量In_(0.82)Ga_(0.18)As 外延材料的生长和表征研究 | 第43-65页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·In_(0.82)Ga_(0.18)As 材料的两步生长及相关性质研究 | 第44-48页 |
| ·低温缓冲层热退火处理制备高质量的In_(0.82)Ga_(0.18)As 材料 | 第48-57页 |
| ·优化缓冲层退火温度制备高质量的In_(0.82)Ga_(0.18)As 材料 | 第48-52页 |
| ·优化缓冲层退火时间制备高质量的In_(0.82)Ga_(0.18)As 材料 | 第52-57页 |
| ·In_(0.82)Ga_(0.18)As 材料的低温电学性质研究 | 第57-63页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·载流子的散射机制 | 第57-58页 |
| ·In_(0.82)Ga_(0.18)As 材料的Hall 测试 | 第58-59页 |
| ·Hall 测试结果拟合及分析 | 第59-63页 |
| ·小结 | 第63-65页 |
| 第4章 探测器窗口用InAs0.6P0.4 材料的生长及初步表征研究 | 第65-79页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·InAs0.6P0.4 缓冲层对外延层结晶质量的影响 | 第66-70页 |
| ·In_(0.82)Ga_(0.18)As 缓冲层对外延层结晶质量的影响 | 第70-78页 |
| ·In_(0.82)Ga_(0.18)As 缓冲层的厚度对外延层质量的影响 | 第71-75页 |
| ·InAs0.6P0.4 外延层的生长温度对外延层质量的影响 | 第75-78页 |
| ·小结 | 第78-79页 |
| 第5章 In_(0.82)Ga_(0.18)As 红外探测器件制备与表征研究 | 第79-97页 |
| ·引言 | 第79页 |
| ·红外探测器的基本特性参数 | 第79-81页 |
| ·In_(0.82)Ga_(0.18)As 探测器件的结构设计 | 第81-82页 |
| ·In_(0.82)Ga_(0.18)As 器件结构材料的制备和表征 | 第82-85页 |
| ·In_(0.82)Ga_(0.18)As 单元探测器件的研究 | 第85-92页 |
| ·In_(0.82)Ga_(0.18)As 线列探测器件的研究 | 第92-95页 |
| ·小结 | 第95-97页 |
| 第6章 结论与展望 | 第97-99页 |
| ·结论 | 第97-98页 |
| ·研究展望 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-109页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第109-111页 |
| 指导教师及作者简介 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
