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In0.82Ga0.18As红外探测材料的MOCVD生长与器件研究

摘要第1-7页
Abstract第7-10页
目录第10-13页
第1章 InGaAs 红外探测器的研究进展第13-29页
   ·引言第13-16页
   ·红外探测器的分类及应用第16-19页
     ·红外探测器的分类第16-18页
     ·红外探测器的应用第18-19页
   ·In_(0.82)Ga_(0.18)As 材料的性质和基本参数第19-23页
   ·InGaAs 探测器的国内外研究进展第23-26页
   ·InGaAs 材料和器件研究中存在的问题第26页
   ·本论文的主要研究内容第26-29页
第2章 MOCVD 生长技术及常用的样品表征手段第29-43页
   ·MOCVD 技术第29-33页
     ·MOCVD 技术的发展第29-30页
     ·MOCVD 技术的应用第30页
     ·MOCVD 的原理及特点第30-31页
     ·MOCVD 的生长系统第31-33页
   ·常用的样品表征手段第33-42页
     ·X 射线衍射(XRD)第33-35页
     ·扫描电子显微镜(SEM)第35-36页
     ·原子力显微镜(AFM)第36-37页
     ·光致发光(PL)第37-38页
     ·喇曼散射(Raman Scatter)第38-39页
     ·霍尔效应(Hall Effect)第39-42页
   ·小结第42-43页
第3章 高质量In_(0.82)Ga_(0.18)As 外延材料的生长和表征研究第43-65页
   ·引言第43-44页
   ·In_(0.82)Ga_(0.18)As 材料的两步生长及相关性质研究第44-48页
   ·低温缓冲层热退火处理制备高质量的In_(0.82)Ga_(0.18)As 材料第48-57页
     ·优化缓冲层退火温度制备高质量的In_(0.82)Ga_(0.18)As 材料第48-52页
     ·优化缓冲层退火时间制备高质量的In_(0.82)Ga_(0.18)As 材料第52-57页
   ·In_(0.82)Ga_(0.18)As 材料的低温电学性质研究第57-63页
     ·引言第57页
     ·载流子的散射机制第57-58页
     ·In_(0.82)Ga_(0.18)As 材料的Hall 测试第58-59页
     ·Hall 测试结果拟合及分析第59-63页
   ·小结第63-65页
第4章 探测器窗口用InAs0.6P0.4 材料的生长及初步表征研究第65-79页
   ·引言第65-66页
   ·InAs0.6P0.4 缓冲层对外延层结晶质量的影响第66-70页
   ·In_(0.82)Ga_(0.18)As 缓冲层对外延层结晶质量的影响第70-78页
     ·In_(0.82)Ga_(0.18)As 缓冲层的厚度对外延层质量的影响第71-75页
     ·InAs0.6P0.4 外延层的生长温度对外延层质量的影响第75-78页
   ·小结第78-79页
第5章 In_(0.82)Ga_(0.18)As 红外探测器件制备与表征研究第79-97页
   ·引言第79页
   ·红外探测器的基本特性参数第79-81页
   ·In_(0.82)Ga_(0.18)As 探测器件的结构设计第81-82页
   ·In_(0.82)Ga_(0.18)As 器件结构材料的制备和表征第82-85页
   ·In_(0.82)Ga_(0.18)As 单元探测器件的研究第85-92页
   ·In_(0.82)Ga_(0.18)As 线列探测器件的研究第92-95页
   ·小结第95-97页
第6章 结论与展望第97-99页
   ·结论第97-98页
   ·研究展望第98-99页
参考文献第99-109页
在学期间学术成果情况第109-111页
指导教师及作者简介第111-113页
致谢第113-114页

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