IGBT阳极端电势控制技术与新结构研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第10-12页 |
| 1.2 快速LIGBT简述 | 第12-15页 |
| 1.3 逆导型IGBT简述 | 第15-18页 |
| 1.4 双控制栅IGBT简述 | 第18-20页 |
| 1.5 本文主要研究工作 | 第20-22页 |
| 第二章 IGBT机理与阳极端电势控制技术 | 第22-32页 |
| 2.1 IGBT工作机理与特性 | 第22-29页 |
| 2.1.1 阻断特性 | 第22-23页 |
| 2.1.2 正向导通特性 | 第23-24页 |
| 2.1.3 反向导通特性 | 第24-25页 |
| 2.1.4 开关特性 | 第25-28页 |
| 2.1.5 安全工作区 | 第28-29页 |
| 2.2 Snapback现象 | 第29-30页 |
| 2.3 阳极端电势控制模型 | 第30-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 具有多晶硅电阻LIGBT器件研究 | 第32-47页 |
| 3.1 PRTC LIGBT器件的结构机理 | 第32-34页 |
| 3.2 PRTC LIGBT器件的静态特性 | 第34-41页 |
| 3.2.1 正向导通特性 | 第34-37页 |
| 3.2.2 正向阻断特性 | 第37-41页 |
| 3.3 PRTC LIGBT器件关断特性 | 第41-42页 |
| 3.4 PRTC LIGBT器件的抗短路能力 | 第42-44页 |
| 3.5 PRTC LIGBT器件工艺流程设计 | 第44-46页 |
| 3.6 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 具有调控槽栅逆导型IGBT器件研究 | 第47-62页 |
| 4.1 RTG RC-IGBT器件结构与机理 | 第47-51页 |
| 4.2 RTG RC-IGBT器件静态特性研究 | 第51-54页 |
| 4.2.1 导通特性 | 第51-54页 |
| 4.2.2 正向阻断特性 | 第54页 |
| 4.3 RTG RC-IGBT器件关断特性 | 第54-59页 |
| 4.3.1 关断曲线分析 | 第55-58页 |
| 4.3.2 E_(off)分析 | 第58-59页 |
| 4.4 RTG RC-IGBT器件反向导通特性 | 第59-60页 |
| 4.5 RTG RC-IGBT器件工艺流程设计 | 第60-61页 |
| 4.6 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第70页 |
