| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第11-13页 |
| 1.2 InAlN/GaN HEMT国内外研究现状和当前存在的主要问题 | 第13-17页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 InAlN/GaN HEMT的工作原理及短沟道效应 | 第19-34页 |
| 2.1 InAlN/GaN HEMT的工作原理 | 第19-23页 |
| 2.1.1 极化效应和二维电子气的产生机理 | 第19-20页 |
| 2.1.2 InAlN/GaN HEMT的工作原理及特性 | 第20-23页 |
| 2.2 InAlN/GaN HEMT短沟道效应研究 | 第23-32页 |
| 2.2.1 InAlN/GaN HEMT物理建模 | 第23-24页 |
| 2.2.2 短沟道效应对器件直流特性的影响 | 第24-30页 |
| 2.2.3 短沟道效应对器件频率特性的影响 | 第30-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 InAlN/GaN HEMT栅结构优化 | 第34-52页 |
| 3.1 T-gate结构对器件特性的影响 | 第34-41页 |
| 3.1.1 T-gate结构器件建模 | 第34-35页 |
| 3.1.2 T-gate结构的栅跟高度Hg对器件特性的影响 | 第35-38页 |
| 3.1.3 T-gate最佳位置优化 | 第38-41页 |
| 3.2 τ-gate结构对器件特性的影响 | 第41-45页 |
| 3.3 Γ-gate结构对器件特性的影响 | 第45-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-52页 |
| 第四章 新型复合金属栅结构的GaN基HEMT特性研究 | 第52-61页 |
| 4.1 研究背景 | 第52-53页 |
| 4.2 复合金属栅结构GaN基HEMT的工作原理 | 第53页 |
| 4.3 复合金属栅结构AlGaN/GaN HEMT建模 | 第53-55页 |
| 4.4 复合金属栅对AlGaN/GaN HEMT特性的影响 | 第55-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 基于Lombardi迁移率模型的InAlN/GaN HEMT特性分析 | 第61-70页 |
| 5.1 研究背景 | 第61页 |
| 5.2 InAlN/GaN HEMT器件制备与Lombardi模型 | 第61-63页 |
| 5.2.1 InAlN/GaN HEMT器件制备 | 第61-62页 |
| 5.2.2 Lombardi模型 | 第62-63页 |
| 5.3 InAlN/GaN HEMT特性测试 | 第63-65页 |
| 5.4 Lombardi迁移率模型对InAlN/GaN HEMT特性的影响 | 第65-69页 |
| 5.4.1 Lombardi模型对器件直流特性的影响 | 第66页 |
| 5.4.2 Lombardi模型对器件频率特性的影响 | 第66-69页 |
| 5.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 结论 | 第70-72页 |
| 6.1 研究内容总结 | 第70-71页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第78-79页 |
