| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 功率半导体的发展 | 第10-12页 |
| 1.2 SOI功率MOS器件 | 第12-15页 |
| 1.2.1 SOI技术 | 第12-13页 |
| 1.2.2 横向功率MOS器件 | 第13-15页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 SOI Super Junction LDMOS研究 | 第17-30页 |
| 2.1 Super Junction理论 | 第17-20页 |
| 2.2 横向Super Junction结构 | 第20-21页 |
| 2.3 SOI Super Junction LDMOS仿真 | 第21-28页 |
| 2.4 Super Junction结构的关键工艺步骤 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 具有高k介质槽的SOI LDMOS器件研究 | 第30-49页 |
| 3.1 SOI HK LDMOS器件结构及机理 | 第32-37页 |
| 3.1.1 结构特征 | 第32-33页 |
| 3.1.2 工作机理分析 | 第33-37页 |
| 3.2 SOI HK LDMOS结构参数对耐压与比导通电阻的影响 | 第37-44页 |
| 3.2.1 漂移区浓度Nd | 第37-39页 |
| 3.2.2 高k介质介电系数 | 第39-40页 |
| 3.2.3 高k介质宽度WHK | 第40页 |
| 3.2.4 埋氧层厚度Tox | 第40-42页 |
| 3.2.5 顶层硅厚度Tsoi | 第42-44页 |
| 3.3 高k介质制备 | 第44-45页 |
| 3.4 SOI HK LDMOS器件的工艺步骤 | 第45-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 改进型高k介质槽的SOI LDMOS器件研究 | 第49-63页 |
| 4.1 SOI Semi-HK LDMOS器件结构及机理 | 第49-50页 |
| 4.1.1 结构特征 | 第49-50页 |
| 4.1.2 工作机理分析 | 第50页 |
| 4.2 SOI Semi-HK LDMOS各参数对器件特性的影响 | 第50-55页 |
| 4.2.1 HK结构长度Lsemi | 第51-53页 |
| 4.2.2 buffer区浓度Nn-buffer | 第53-55页 |
| 4.3 SOI Semi-HK LDMOS器件的关键工艺步骤 | 第55-57页 |
| 4.4 SOI SLOP HK LDMOS器件结构及机理 | 第57-58页 |
| 4.4.1 结构特征 | 第57-58页 |
| 4.4.2 工作机理分析 | 第58页 |
| 4.5 SOI SLOP HK LDMOS各参数对器件特性的影响 | 第58-61页 |
| 4.5.1 SLOP层掺杂浓度Nslop | 第58-60页 |
| 4.5.2 SLOP层厚度Dslop | 第60-61页 |
| 4.6 SOI SLOP HK LDMOS器件的关键工艺步骤 | 第61-62页 |
| 4.7 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第68-69页 |
