| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 集成电路封装技术 | 第10-11页 |
| 1.2 倒装芯片封装 | 第11-14页 |
| 1.2.1 倒装芯片封装技术的介绍 | 第11-14页 |
| 1.2.2 倒装芯片凸点中典型的焊料合金 | 第14页 |
| 1.3 倒装芯片封装可靠性 | 第14-19页 |
| 1.3.1 倒装芯片封装失效分类和失效机制 | 第14-16页 |
| 1.3.2 倒装芯片封装可靠性在高电流密度下的挑战 | 第16-17页 |
| 1.3.3 国内外电迁移研究现状 | 第17-19页 |
| 1.4 本课题研究的目的和意义 | 第19页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 电迁移理论分析 | 第21-31页 |
| 2.1 倒装芯片互连结构中的电迁移 | 第21-22页 |
| 2.2 电迁移机制 | 第22-26页 |
| 2.3 背流效应 | 第26-27页 |
| 2.4 电迁移寿命测试 | 第27-30页 |
| 2.5 有限元法 | 第30页 |
| 2.6 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 FCBGA封装在多物理场耦合下仿真分析 | 第31-52页 |
| 3.1 FCBGA封装介绍 | 第31页 |
| 3.2 ANSYS多物理场耦合分析理论 | 第31-32页 |
| 3.2.1 直接耦合分析 | 第31-32页 |
| 3.2.2 间接耦合分析 | 第32页 |
| 3.3 FCBGA多物理场耦合分析模型 | 第32-38页 |
| 3.3.2 FCBGA封装的实体模型建模和有限元网格划分 | 第35-37页 |
| 3.3.3 FCBGA封装在多物理场耦合下的边界条件 | 第37-38页 |
| 3.4 FCBGA封装多物理场耦合计算及结果分析 | 第38-51页 |
| 3.4.1 FCBGA封装在热-电耦合下的计算结果及分析 | 第38-46页 |
| 3.4.2 FCBGA封装热-结构耦合结果及分析 | 第46-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 互连凸点结构中各参数对电迁移机制的影响 | 第52-71页 |
| 4.1 电流强度对电迁移机制的影响 | 第52-54页 |
| 4.2 互连结构尺寸对电迁移的影响 | 第54-70页 |
| 4.2.1 Al线尺寸对电迁移机制的影响 | 第54-58页 |
| 4.2.2 UBM厚度对电迁移机制的影响 | 第58-64页 |
| 4.2.3 钝化层开口尺寸对电迁移机制的影响 | 第64-67页 |
| 4.2.4 互连结构缩小对电迁移机制的影响 | 第67-70页 |
| 4.3 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 结论与展望 | 第71-73页 |
| 5.1 结论 | 第71-72页 |
| 5.2 展望 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 英文缩写词表 | 第77-78页 |
| 作者在攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第78-79页 |
| A：在国内刊物上发表的论文 | 第78页 |
| B：在国际学术会议上发表的论文 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
