大功率9××半导体激光器特性优化研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 半导体激光器简介 | 第10-15页 |
| 1.1.1 半导体激光器研究背景 | 第10-13页 |
| 1.1.2 半导体激光器主要应用 | 第13-15页 |
| 1.2 大功率半导体激光器研究现状 | 第15-18页 |
| 1.2.0 大功率 9xx半导体激光器研究进展 | 第15-16页 |
| 1.2.1 国内外低损耗半导体激光器的研究进展 | 第16-17页 |
| 1.2.2 低损耗大功率半导体激光器的研究意义 | 第17-18页 |
| 1.3 论文内容和结构 | 第18-20页 |
| 1.3.1 研究对象 | 第18-20页 |
| 第2章 半导体激光器基本理论 | 第20-34页 |
| 2.1 半导体激光器基本工作原理 | 第20-24页 |
| 2.1.1 粒子数反转与增益分布 | 第21-22页 |
| 2.1.3 光波导理论 | 第22-24页 |
| 2.2 半导体激光器主要特征参数 | 第24-32页 |
| 2.2.1 半导体激光器的量子效率 | 第25-29页 |
| 2.2.2 半导体激光器的内损耗 | 第29-30页 |
| 2.2.3 电流的侧向扩展和载流子的扩散 | 第30-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-34页 |
| 第3章 9xx半导体激光器外延结构优化 | 第34-48页 |
| 3.1 优化设计目的 | 第34-37页 |
| 3.1.1 内损耗的来源 | 第34-36页 |
| 3.1.2 降低内损耗方法 | 第36-37页 |
| 3.2 本文所涉及的优化措施 | 第37-44页 |
| 3.2.1 大光腔结构 | 第37-39页 |
| 3.2.2 选择掺杂的非对称波导结构 | 第39-41页 |
| 3.2.3 组分渐变层 | 第41-44页 |
| 3.4 整体结构设计 | 第44-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第4章 9xx半导体激光器工艺流程优化 | 第48-60页 |
| 4.1 工艺改进 | 第48-52页 |
| 4.1.1 脊型台两侧刻蚀深隔离槽结构 | 第48-52页 |
| 4.2 工艺制备 | 第52-58页 |
| 4.2.1 清洗 | 第52页 |
| 4.2.2 光刻 | 第52-54页 |
| 4.2.3 生长SiO_2 | 第54-55页 |
| 4.2.4 ICP刻蚀深隔离槽 | 第55-56页 |
| 4.2.5 p型欧姆电极生长 | 第56页 |
| 4.2.6 磨片与n型欧姆电极生长 | 第56-57页 |
| 4.2.7 封装测试 | 第57-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-60页 |
| 第5章 测试结果与分析 | 第60-68页 |
| 5.1 外延结构优化测试结果 | 第60-64页 |
| 5.1.1 光电测试结果分析对比 | 第60-63页 |
| 5.1.2 变腔长测试结果分析 | 第63-64页 |
| 5.2 工艺流程优化测试结果 | 第64-68页 |
| 第6章 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学位论文 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
