压电式多维力传感器晶组设计与制作关键技术研究
| 摘要 | 第7-8页 |
| abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 多维力传感器的国内外研究现状 | 第11-16页 |
| 1.2.1 多维力传感器分类 | 第11-13页 |
| 1.2.2 压电材料类型 | 第13-14页 |
| 1.2.3 压电式多维力传感器国内外研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3 课题研究意义 | 第16-17页 |
| 1.4 课题主要研究内容 | 第17-20页 |
| 第二章 压电式多维力传感器测量原理与结构设计 | 第20-42页 |
| 2.1 压电效应理论 | 第20-26页 |
| 2.1.1 正压电效应表达式 | 第20-23页 |
| 2.1.2 压电机理研究 | 第23-25页 |
| 2.1.3 石英晶体切型 | 第25-26页 |
| 2.2 压电式多维力传感器空间布局 | 第26-33页 |
| 2.2.1 四点空间布局 | 第27-29页 |
| 2.2.2 八点空间布局 | 第29-33页 |
| 2.3 石英晶组形状及尺寸设计 | 第33-40页 |
| 2.3.1 石英晶体形状分析 | 第33-39页 |
| 2.3.2 石英晶片尺寸计算 | 第39-40页 |
| 2.4 传感器壳体设计 | 第40-41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 压电式多维力传感器晶组制备技术研究 | 第42-60页 |
| 3.1 清洗工艺研究 | 第42-45页 |
| 3.1.1 沾污来源分析 | 第42-43页 |
| 3.1.2 清洗工艺制定 | 第43-45页 |
| 3.2 干燥工艺制定 | 第45-47页 |
| 3.3 绝缘阻抗值检测 | 第47-52页 |
| 3.3.1 石英晶体内阻检测 | 第47-50页 |
| 3.3.2 实验设计 | 第50-52页 |
| 3.4 晶轴及灵敏度检测 | 第52-59页 |
| 3.4.1 晶轴检测平台搭建 | 第52-54页 |
| 3.4.2 晶轴方向检测 | 第54-59页 |
| 3.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第四章 压电式多维力传感器晶组的研制 | 第60-70页 |
| 4.1 实验准备 | 第60-61页 |
| 4.2 传感器装配工艺研究 | 第61-64页 |
| 4.2.1 传感器装配工艺路线 | 第61-62页 |
| 4.2.2 传感器晶组基本结构 | 第62-64页 |
| 4.3 传感器晶组制作过程 | 第64-68页 |
| 4.3.1 单元晶组制作过程 | 第64-67页 |
| 4.3.2 组合晶组制作过程 | 第67-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 压电式多维力传感器晶组性能标定实验 | 第70-82页 |
| 5.1 石英晶组静态标定流程 | 第70-71页 |
| 5.2 石英晶组静态标定实验分析 | 第71-78页 |
| 5.3 误差来源分析 | 第78-80页 |
| 5.4 本章小结 | 第80-82页 |
| 第六章 结论与展望 | 第82-84页 |
| 6.1 结论 | 第82-83页 |
| 6.2 展望 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
| 附录 | 第90页 |
