| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 微通道板简介 | 第8-11页 |
| 1.1.1 微通道板工作原理 | 第8页 |
| 1.1.2 微通道板性能参数 | 第8-9页 |
| 1.1.3 微通道板的发展 | 第9-10页 |
| 1.1.4 微通道板的应用 | 第10-11页 |
| 1.2 微通道板制备技术的发展 | 第11-15页 |
| 1.2.1 玻璃微通道板 | 第11-12页 |
| 1.2.2 微球板结构及特点 | 第12-13页 |
| 1.2.3 先进技术微通道板 | 第13-14页 |
| 1.2.4 硅微通道板制备技术 | 第14-15页 |
| 1.3 本论文研究内容及意义 | 第15-17页 |
| 1.3.1 研究意义 | 第15-16页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 诱导坑制备技术的研究 | 第17-30页 |
| 2.1 硅微通道板及其基体制备工艺流程 | 第17-18页 |
| 2.2 光刻掩膜板的设计与制造 | 第18-21页 |
| 2.2.1 版图设计规则 | 第18-20页 |
| 2.2.2 光刻掩膜版图设计 | 第20-21页 |
| 2.2.3 光刻掩膜版的制造 | 第21页 |
| 2.3 光刻工艺的研究 | 第21-26页 |
| 2.3.1 光刻工艺流程 | 第22-23页 |
| 2.3.2 影响光刻工艺的因素 | 第23-26页 |
| 2.4 诱导坑的各向异性腐蚀 | 第26-30页 |
| 2.4.1 硅的各向异性腐蚀机制 | 第26-27页 |
| 2.4.2 KOH腐蚀诱导坑技术 | 第27-30页 |
| 第三章光电化学腐蚀对硅微通道形貌影响的研究 | 第30-41页 |
| 3.1 硅光电化学刻蚀原理 | 第30-32页 |
| 3.1.1 硅光电化学腐蚀机制 | 第30-31页 |
| 3.1.2 光电化学刻蚀工艺的装置 | 第31-32页 |
| 3.2 欧姆接触层对空穴激发的影响 | 第32-37页 |
| 3.2.1 欧姆接触层的制备 | 第32-34页 |
| 3.2.2 欧姆接触层对空穴输运影响研究 | 第34-35页 |
| 3.2.3 欧姆接触层工艺优化 | 第35-36页 |
| 3.2.4 光电化学腐蚀实验流程 | 第36-37页 |
| 3.3 光电化学腐蚀条件对硅微通道形貌的影响 | 第37-39页 |
| 3.3.1 温度对硅微通道形貌的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.2 HF浓度对硅微通道形貌的影响 | 第38-39页 |
| 3.4 光电化学腐蚀硅微通道板制备工艺优化 | 第39-41页 |
| 第四章 硅微通道电化学腐蚀的仿真建模 | 第41-48页 |
| 4.1 仿真分析软件及仿真意义 | 第41-44页 |
| 4.1.1 仿真使用的软件—Comsol Multiphysics | 第41页 |
| 4.1.2 Comsol软件建立模型步骤 | 第41-43页 |
| 4.1.3 模型求解的边界条件 | 第43-44页 |
| 4.2 仿真结果 | 第44-48页 |
| 总结 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第52页 |