摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-28页 |
1.1 课题研究背景及研究意义 | 第12-14页 |
1.2 蓝宝石单晶的特性 | 第14-16页 |
1.2.1 单晶蓝宝石的晶体结构 | 第14-15页 |
1.2.2 单晶蓝宝石的物理性质 | 第15-16页 |
1.2.3 单晶蓝宝石热性质 | 第16页 |
1.3 国内外研究现状 | 第16-25页 |
1.3.1 蓝宝石单晶超精密加工技术简介 | 第16-19页 |
1.3.2 研磨抛光加工理论模型 | 第19-22页 |
1.3.3 研磨抛光加工过程磨粒运动轨迹 | 第22-24页 |
1.3.4 研磨抛光加工过程去除均匀性 | 第24-25页 |
1.4 蓝宝石单晶研磨抛光加工研究的不足 | 第25-26页 |
1.5 本课题主要研究内容 | 第26-28页 |
第二章 磨粒轨迹曲线形态与曲线曲率模拟分析 | 第28-48页 |
2.1 引言 | 第28页 |
2.2 磨粒运动轨迹模型的建立 | 第28-30页 |
2.3 磨粒运动轨迹仿真分析 | 第30-42页 |
2.3.1 单颗磨粒运动轨迹仿真分析 | 第30-36页 |
2.3.2 多颗磨粒运动轨迹仿真分析 | 第36-42页 |
2.4 磨粒轨迹曲线曲率分析 | 第42-47页 |
2.4.1 轨迹曲线曲率的定义 | 第42-43页 |
2.4.2 轨迹曲线曲率仿真分析 | 第43-47页 |
2.5 本章小结 | 第47-48页 |
第三章 基于磨粒运动轨迹的材料去除非均匀性分析 | 第48-60页 |
3.1 引言 | 第48页 |
3.2 轨迹长度非均匀性 | 第48-50页 |
3.3 速度分布非均匀性与压力分布非均匀性 | 第50-54页 |
3.3.1 速度分布非均匀性 | 第50-52页 |
3.3.2 压力分布非均匀性 | 第52-54页 |
3.4 晶片表面均匀磨损 | 第54-59页 |
3.4.1 晶片表面均匀磨损条件 | 第54-56页 |
3.4.2 晶片表面均匀磨损影响因素分析 | 第56-59页 |
3.5 本章小结 | 第59-60页 |
第四章 蓝宝石衬底CMP过程应力非均匀性分析 | 第60-74页 |
4.1 引言 | 第60页 |
4.2 相对运动 | 第60-62页 |
4.3 边缘效应 | 第62-63页 |
4.4 蓝宝石衬底研磨抛光加工过程接触模型分析 | 第63-72页 |
4.4.1 研磨抛光有限元模型建立 | 第63-65页 |
4.4.2 有限元仿真结果与分析 | 第65-71页 |
4.4.3 晶片表面接触应力分布非均匀性分析 | 第71-72页 |
4.5 本章小结 | 第72-74页 |
第五章 研磨抛光加工实验设置 | 第74-86页 |
5.1 引言 | 第74页 |
5.2 研磨抛光加工实验平台 | 第74-79页 |
5.2.1 研磨抛光加工装置 | 第74-75页 |
5.2.2 磨料的选择 | 第75-76页 |
5.2.3 研抛盘与抛光垫的选择 | 第76-78页 |
5.2.4 辅助加工设备 | 第78-79页 |
5.3 试验流程与注意事项 | 第79-83页 |
5.4 衬底片质量检测 | 第83-85页 |
5.4.1 几何参数检测指标 | 第84页 |
5.4.2 表面缺陷指标 | 第84-85页 |
5.5 本章小结 | 第85-86页 |
第六章 蓝宝石CMP材料去除速率与表面粗糙度实验研究 | 第86-100页 |
6.1 引言 | 第86页 |
6.2 实验检测设备与耗材 | 第86-87页 |
6.3 实验结果分析 | 第87-97页 |
6.3.1 压力对工件表面材料去除率与粗糙度的影响 | 第87-90页 |
6.3.2 抛光盘转速对工件表面材料去除率与粗糙度的影响 | 第90-93页 |
6.3.3 相同转速对工件表面材料去除率与粗糙度的影响 | 第93-95页 |
6.3.4 抛光垫对工件表面材料去除率与粗糙度的影响 | 第95-97页 |
6.4 本章小结 | 第97-100页 |
第七章 全文工作总结与展望 | 第100-102页 |
7.1 工作总结 | 第100-101页 |
7.2 展望 | 第101-102页 |
致谢 | 第102-104页 |
参考文献 | 第104-112页 |
附录A: 本人在攻读硕士学位期间的科研成果 | 第112页 |