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蓝宝石衬底抛光过程磨粒轨迹与加工平整性研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第12-28页
    1.1 课题研究背景及研究意义第12-14页
    1.2 蓝宝石单晶的特性第14-16页
        1.2.1 单晶蓝宝石的晶体结构第14-15页
        1.2.2 单晶蓝宝石的物理性质第15-16页
        1.2.3 单晶蓝宝石热性质第16页
    1.3 国内外研究现状第16-25页
        1.3.1 蓝宝石单晶超精密加工技术简介第16-19页
        1.3.2 研磨抛光加工理论模型第19-22页
        1.3.3 研磨抛光加工过程磨粒运动轨迹第22-24页
        1.3.4 研磨抛光加工过程去除均匀性第24-25页
    1.4 蓝宝石单晶研磨抛光加工研究的不足第25-26页
    1.5 本课题主要研究内容第26-28页
第二章 磨粒轨迹曲线形态与曲线曲率模拟分析第28-48页
    2.1 引言第28页
    2.2 磨粒运动轨迹模型的建立第28-30页
    2.3 磨粒运动轨迹仿真分析第30-42页
        2.3.1 单颗磨粒运动轨迹仿真分析第30-36页
        2.3.2 多颗磨粒运动轨迹仿真分析第36-42页
    2.4 磨粒轨迹曲线曲率分析第42-47页
        2.4.1 轨迹曲线曲率的定义第42-43页
        2.4.2 轨迹曲线曲率仿真分析第43-47页
    2.5 本章小结第47-48页
第三章 基于磨粒运动轨迹的材料去除非均匀性分析第48-60页
    3.1 引言第48页
    3.2 轨迹长度非均匀性第48-50页
    3.3 速度分布非均匀性与压力分布非均匀性第50-54页
        3.3.1 速度分布非均匀性第50-52页
        3.3.2 压力分布非均匀性第52-54页
    3.4 晶片表面均匀磨损第54-59页
        3.4.1 晶片表面均匀磨损条件第54-56页
        3.4.2 晶片表面均匀磨损影响因素分析第56-59页
    3.5 本章小结第59-60页
第四章 蓝宝石衬底CMP过程应力非均匀性分析第60-74页
    4.1 引言第60页
    4.2 相对运动第60-62页
    4.3 边缘效应第62-63页
    4.4 蓝宝石衬底研磨抛光加工过程接触模型分析第63-72页
        4.4.1 研磨抛光有限元模型建立第63-65页
        4.4.2 有限元仿真结果与分析第65-71页
        4.4.3 晶片表面接触应力分布非均匀性分析第71-72页
    4.5 本章小结第72-74页
第五章 研磨抛光加工实验设置第74-86页
    5.1 引言第74页
    5.2 研磨抛光加工实验平台第74-79页
        5.2.1 研磨抛光加工装置第74-75页
        5.2.2 磨料的选择第75-76页
        5.2.3 研抛盘与抛光垫的选择第76-78页
        5.2.4 辅助加工设备第78-79页
    5.3 试验流程与注意事项第79-83页
    5.4 衬底片质量检测第83-85页
        5.4.1 几何参数检测指标第84页
        5.4.2 表面缺陷指标第84-85页
    5.5 本章小结第85-86页
第六章 蓝宝石CMP材料去除速率与表面粗糙度实验研究第86-100页
    6.1 引言第86页
    6.2 实验检测设备与耗材第86-87页
    6.3 实验结果分析第87-97页
        6.3.1 压力对工件表面材料去除率与粗糙度的影响第87-90页
        6.3.2 抛光盘转速对工件表面材料去除率与粗糙度的影响第90-93页
        6.3.3 相同转速对工件表面材料去除率与粗糙度的影响第93-95页
        6.3.4 抛光垫对工件表面材料去除率与粗糙度的影响第95-97页
    6.4 本章小结第97-100页
第七章 全文工作总结与展望第100-102页
    7.1 工作总结第100-101页
    7.2 展望第101-102页
致谢第102-104页
参考文献第104-112页
附录A: 本人在攻读硕士学位期间的科研成果第112页

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