CMP对低k介质材料的影响及其优化方法研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| ·研究背景 | 第9-14页 |
| ·集成电路发展历程及趋势 | 第9-10页 |
| ·新材料的引入 | 第10-12页 |
| ·双大马士革工艺 | 第12-14页 |
| ·化学机械抛光技术 | 第14-16页 |
| ·CMP技术概况 | 第14页 |
| ·CMP机台简介 | 第14-15页 |
| ·抛光液 | 第15-16页 |
| ·集成电路的CMP过程 | 第16页 |
| ·阻挡层的化学机械抛光 | 第16-17页 |
| ·低k材料 | 第17-21页 |
| ·低k介质简介 | 第17-20页 |
| ·低k介质在CMP中遇到的问题 | 第20-21页 |
| ·论文研究内容及目的 | 第21-23页 |
| 第二章 课题理论基础研究及实验设备介绍 | 第23-39页 |
| ·化学机械抛光机理 | 第23-27页 |
| ·CMP机理 | 第23-25页 |
| ·相关材料抛光机理 | 第25-27页 |
| ·铜CMP机理 | 第25-26页 |
| ·阻挡层CMP机理 | 第26-27页 |
| ·低k介质BD在CMP中的行为 | 第27页 |
| ·碱性抛光液研究 | 第27-30页 |
| ·磨料 | 第27-28页 |
| ·表面活性剂 | 第28-29页 |
| ·FA/O螯合剂 | 第29-30页 |
| ·相对介电常数的测量 | 第30-33页 |
| ·k值的概念 | 第30-32页 |
| ·k值测量理论依据 | 第32-33页 |
| ·主要实验设备介绍 | 第33-39页 |
| ·抛光机 | 第33-34页 |
| ·pH计 | 第34页 |
| ·称重天平 | 第34-35页 |
| ·电极制作设备 | 第35页 |
| ·台阶仪 | 第35-36页 |
| ·电参数测试设备 | 第36页 |
| ·傅里叶红外光谱分析仪 | 第36-39页 |
| 第三章 阻挡层化学机械平坦化速率选择性的研究 | 第39-49页 |
| ·阻挡层抛光液各组分的研究 | 第39-43页 |
| ·抛光条件、材料和实验方案 | 第39页 |
| ·磨料浓度的研究 | 第39-40页 |
| ·螯合剂浓度的研究 | 第40-41页 |
| ·活性剂浓度的研究 | 第41-42页 |
| ·抛光液PH值的研究 | 第42-43页 |
| ·基于12英寸布线片的阻挡层抛光液速率选择性验证 | 第43-46页 |
| ·抛光条件和实验材料介绍 | 第43页 |
| ·布线晶圆片测试方法介绍 | 第43-45页 |
| ·速率选择性验证结果 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-49页 |
| 第四章 化学机械平坦化对低k介质k值的影响 | 第49-59页 |
| ·实验材料 | 第49页 |
| ·化学机械抛光对BD材料影响机制的分析 | 第49-50页 |
| ·实验步骤 | 第50-51页 |
| ·降低抛光液对k值影响的探究 | 第51-53页 |
| ·CMP后的k值修正 | 第53-54页 |
| ·阻挡层抛光液对12英寸布线晶圆片的抛光效果 | 第54-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
