| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·MOS器件发展现状 | 第7-8页 |
| ·MOS器件发展面临的困难 | 第8-10页 |
| ·目前解决MOS器件问题的主要研究方向和方案 | 第10-11页 |
| ·本论文的工作和结构框架 | 第11-13页 |
| 第二章 电子束光刻的研究 | 第13-23页 |
| ·电子束曝光简介 | 第13-15页 |
| ·在实验中所遇到的困难 | 第15-17页 |
| ·邻近效应校正 | 第17-20页 |
| ·利用电子束曝光在不同界面上制备细线条 | 第20-23页 |
| 第三章 硅的各向异性刻蚀 | 第23-35页 |
| ·硅的各向异性刻蚀 | 第23-24页 |
| ·在实验中需要解决的问题 | 第24-28页 |
| ·光刻胶的选择比实验 | 第28-30页 |
| ·不同刻蚀条件下的线宽损失实验 | 第30-35页 |
| 第四章 氧化的实验研究 | 第35-45页 |
| ·氧化反应过程中的氧化延迟效应 | 第35-37页 |
| ·实验中需解决的难点 | 第37-41页 |
| ·利用氧化延迟效应制备纳米线 | 第41-43页 |
| ·硅纳米线形貌稳定性的研究 | 第43-45页 |
| 结论 | 第45-47页 |
| 致谢 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 硕士期间申请专利情况 | 第52页 |