| 第一章 引言 | 第1-15页 |
| ·课题背景 | 第9-10页 |
| ·微波SiGe HBT 及其集成电路的研究现状 | 第10-13页 |
| ·论文主要难点及工作 | 第13-14页 |
| ·论文的内容安排 | 第14-15页 |
| 第二章 SiGe HBT 的基本原理和结构 | 第15-27页 |
| ·SiGe 材料特征 | 第15-16页 |
| ·SiGe HBT 的基本原理 | 第16-20页 |
| ·能带工程 | 第16-18页 |
| ·SiGe HBT 的优点 | 第18-20页 |
| ·SiGe HBT 的常用结构 | 第20-25页 |
| ·台面和平面结构 | 第20-21页 |
| ·自对准和非对准结构 | 第21-25页 |
| ·SiGe 基区外延层的生长方法 | 第25-27页 |
| 第三章 SiGe HBT 分析与设计 | 第27-43页 |
| ·SiGe HBT 的重要参数 | 第27-30页 |
| ·SiGe HBT 的功率参数 | 第27-28页 |
| ·集电极电流基极电流和增益的改善 | 第28-29页 |
| ·特征频率 | 第29-30页 |
| ·SiGe HBT 的折衷考虑 | 第30-34页 |
| ·渐变Ge 组分对SiGe HBT 性能的改善 | 第30-32页 |
| ·微波SiGe HBT 的结构考虑 | 第32-34页 |
| ·SiGe HBT 结构参数的模拟 | 第34-39页 |
| ·SiGe HBT 结构参数和选取 | 第39-41页 |
| ·纵向结构参数的选取 | 第39-41页 |
| ·横向结构参数的选取 | 第41页 |
| ·小结 | 第41-43页 |
| 第四章 SiGe HBT 的基区层设计和结构参数的计算 | 第43-55页 |
| ·SiGe HBT 基区杂质外扩的产生机理 | 第43-45页 |
| ·解决基区外扩的两种方案 | 第45-48页 |
| ·SiGe:C 基区的应用 | 第45-48页 |
| ·SiGe HBT 缓冲层设计 | 第48页 |
| ·SiGe HBT 的结构参数的数值确定 | 第48-50页 |
| ·主要电学参数的理论计算 | 第50-54页 |
| ·SiGe HBT 特征频率的计算 | 第50-53页 |
| ·功率增益GP 的计算 | 第53页 |
| ·对于SiGe 高频功度器件设计的计论 | 第53-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第五章 SiGe HBT 单片集成电路的制作 | 第55-72页 |
| ·晶体管在集成电路中的使用 | 第55-58页 |
| ·SiGe HBT 的电路模型分析 | 第58-59页 |
| ·单片集成电路的无源器件 | 第59-66页 |
| ·集成电感 | 第60-64页 |
| ·电阻 | 第64-65页 |
| ·电容 | 第65-66页 |
| ·SiGe HBT 的制作工艺和版图 | 第66-70页 |
| ·SiGe HBT 单片集成电路的工艺设计 | 第66-68页 |
| ·制备工艺中的主要工艺技术 | 第68-69页 |
| ·SiGe LNA 的版图设计 | 第69-70页 |
| ·小结 | 第70-72页 |
| 结论 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 附录 | 第77-80页 |
| 攻硕期间的研究成果 | 第80页 |