| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| 第一节 半导体简介 | 第10-17页 |
| ·概论 | 第11页 |
| ·半导体的能带结构 | 第11-14页 |
| ·半导体的掺杂 | 第14-17页 |
| 第二节 半导体器件的应用 | 第17-21页 |
| ·场效应晶体管 | 第17-18页 |
| ·二极管 | 第18-19页 |
| ·氧化物半导体逻辑门 | 第19-21页 |
| 第三节 半导体研究的最新进展 | 第21-26页 |
| ·氧化物半导体存储器 | 第21-23页 |
| ·磁性半导体 | 第23-26页 |
| 第四节 本文的研究思路和工作 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-30页 |
| 第二章 BaTi_(0.998)Nb_(0.002)O_3中铁电调制的阻变效应的研究 | 第30-54页 |
| 第一节 引言 | 第30-35页 |
| ·BaTiO_3的晶体结构和铁电特性 | 第30-33页 |
| ·BaTiO_3的半导体特性 | 第33-35页 |
| 第二节 实验 | 第35-36页 |
| ·样品制备 | 第35页 |
| ·结构以及性能表征 | 第35-36页 |
| 第三节 样品的晶体结构 | 第36-37页 |
| 第四节 样品的介电性能和差热分析 | 第37-38页 |
| 第五节 样品的压电性能 | 第38-43页 |
| ·扫描探针显微镜 | 第38-40页 |
| ·半导体的铁电性 | 第40-42页 |
| ·BaTi_(0.998)Nb_(0.002)O_3的压电特性 | 第42-43页 |
| 第六节 样品的电学性能 | 第43-47页 |
| ·电阻温度曲线和霍尔效应 | 第43页 |
| ·电阻开关特性 | 第43-47页 |
| 第七节 铁电电阻随机存储器 | 第47-48页 |
| 第八节 机制探讨 | 第48-51页 |
| 第九节 后续工作及展望 | 第51-52页 |
| 第十节 本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-54页 |
| 第三章 铁磁半导体FeSi_(1-x)Ge_x磁性和输运性质的研究 | 第54-72页 |
| 第一节 FeSi和FeGe合金的磁性和输运性质 | 第54-57页 |
| ·FeSi的磁性和输运性质 | 第54-55页 |
| ·FeGe的磁性和输运性质 | 第55-57页 |
| 第二节 FeSi_(1-x)Ge_x合金的特殊性质 | 第57-61页 |
| ·掺杂引起的金属绝缘体转变 | 第57-58页 |
| ·应力驱动的金属绝缘体转变 | 第58-59页 |
| ·磁场驱动的金属绝缘体转变 | 第59-61页 |
| 第三节 FeSi_(1-x)Ge_x合金的铁磁半导体性质 | 第61-69页 |
| ·FeSi_(1-x)Ge_x结构的表征 | 第61页 |
| ·FeSi_(1-x)Ge_x的磁性以及输运性质 | 第61-65页 |
| ·FeSi_(1-x)Ge_x铁磁半导体机制的探讨 | 第65-69页 |
| 第四节 后续工作及展望 | 第69-70页 |
| 第五节 本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-72页 |
| 攻读硕士期间发表文章情况 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
