| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·非挥发性存储器 | 第10-14页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·快闪存储器（闪存 Flash Memory）简介 | 第11页 |
| ·铁电存储器 FeRAM（Ferroelectric Random Access Memory）简介 | 第11-12页 |
| ·磁存储器 MRAM（Magnetic Random Access Memory）简介 | 第12-13页 |
| ·相变存储器 PRAM（Phase Change Random Access Memory）简介 | 第13-14页 |
| ·阻变存储器（Resistive Random Access Memory RRAM） | 第14-17页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 阻变存储器的物理机制 | 第18-26页 |
| ·阻变存储器的电流传导机制 | 第18-20页 |
| ·聚合物随机存储器件的跳变机制 | 第20-25页 |
| ·细丝传导理论 | 第20-22页 |
| ·空间电荷和陷阱 | 第22-25页 |
| ·电荷转移效应 | 第25页 |
| ·小结 | 第25-26页 |
| 第三章 含有 ZnO/SiO_2纳米颗粒的电双稳态器件的性能及机理分析 | 第26-45页 |
| ·基于 ZnO/SiO_2纳米颗粒嵌入到 poly-4-vinyl-phenol 层的电双稳态器件 | 第26-34页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·实验方案 | 第26-27页 |
| ·结果和讨论 | 第27-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| ·基于核壳结构 ZnO/SiO_2纳米颗粒的双稳态器件的制备与机制研究 | 第34-38页 |
| ·壳层 SiO_2对包含 ZnO/SiO_2纳米颗粒的有机双稳态器件的电特性的影响 | 第38-44页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·实验 | 第38-40页 |
| ·结果与讨论 | 第40-44页 |
| ·小结 | 第44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 基于 ZnS 量子点与 PVP 复合的有机电双稳态器件以及单层 ZnS 量子点的双稳态发光器件 | 第45-54页 |
| ·基于 ZnS 量子点和 PVP 复合材料的电双稳态器件的制备及其双稳态特性的研究 | 第45-48页 |
| ·单层 ZnS 量子点制备全无机双稳态发光器件 | 第48-53页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·基于单层 ZnS 量子点全无机发光存储器件的制备 | 第49-50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| ·全文总结 | 第54页 |
| ·今后工作展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-63页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
