| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-9页 |
| 1 引言 | 第9-12页 |
| 2 论文动因 | 第12-15页 |
| 3 解决方案及讨论 | 第15-38页 |
| ·方法一,低于临界成品率的 Re-sort 方案 | 第15-20页 |
| ·模块的成本构成及重新测试晶圆与直接做成封装的废品成本比较曲线 (Re-wafersort vs.MCM Lower Parametric Final Test Yield) | 第15-17页 |
| ·临界成品率和模块中芯片数量的关系 | 第17-19页 |
| ·影响临界成品率的其他因素 | 第19-20页 |
| ·方法二，低于临界成品率的原材料直接报废方案 | 第20-22页 |
| ·方法三，提高主要测不准参数的选别能力和精确度 | 第22-28页 |
| ·提高Rdson 的测试精度的方法和结果 | 第24-26页 |
| ·加强UIS 的选别能力的方法和结果 | 第26-28页 |
| ·基于加强芯片重测选别能力的探针卡重新设计 | 第28-30页 |
| ·建立经改进后的单芯片测试平台和测试系统评估 | 第30-33页 |
| ·如何设定芯片重测时的测试条件和规格限 | 第33-38页 |
| 4 功率MCM Short-Circuit 问题研究 | 第38-50页 |
| ·研究背景和目的 | 第38页 |
| ·Short-Circuit 测试原理和失效分析结果 | 第38-41页 |
| ·IGBT 芯片级重测方案的选定 | 第41-42页 |
| ·IGBT 芯片BVges 测试条件及规格限 | 第42-45页 |
| ·IGBT 芯片BVges 产品特性研究 | 第42页 |
| ·IGBT 芯片BVges 测试条件和规格限的确定 | 第42-45页 |
| ·BVges 芯片重测方案实验结果 | 第45-47页 |
| ·芯片重测的其他实例及结果讨论 | 第47-50页 |
| 5 预防为主的系统解决方案和未来发展趋势 | 第50-54页 |
| ·预防为主的系统解决方法 | 第50-53页 |
| ·挽救措施的利与弊 | 第50-51页 |
| ·系统化的预防为主的方法 | 第51-53页 |
| ·一种更理想的晶圆重测方法 | 第53-54页 |
| 6 结论及展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第58-60页 |
