| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-18页 |
| ·选题背景和意义 | 第12-13页 |
| ·CMOS 射频集成电路研究现状 | 第13-14页 |
| ·射频接收机的系统架构 | 第14-17页 |
| ·论文的主要内容和组织结构 | 第17-18页 |
| 第二章 对称互绕变压器的建模 | 第18-44页 |
| ·ADS Momentum 仿真器介绍 | 第18-21页 |
| ·CMOS 硅基衬底上平面变压器的高频效应 | 第21-26页 |
| ·金属微带线的趋肤效应和邻近效应 | 第22-23页 |
| ·硅基衬底上平面变压器的寄生电容 | 第23-24页 |
| ·导电衬底的容性寄生耦合损耗 | 第24-25页 |
| ·导电衬底的感性寄生耦合损耗（涡流效应） | 第25-26页 |
| ·片上螺旋变压器模型的分类 | 第26-28页 |
| ·对称互绕变压器的新模型 | 第28-33页 |
| ·新模型的物理解释 | 第29-30页 |
| ·新模型中的参数提取和计算 | 第30-32页 |
| ·变压器的测试与模型验证 | 第32-33页 |
| ·参数化等效电路模型 | 第33-43页 |
| ·双端口“1-∏”模型 | 第33-34页 |
| ·参数化（Scalable）规则 | 第34-37页 |
| ·Scalable 模型的验证 | 第37-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 CMOS 低噪声放大器设计 | 第44-64页 |
| ·LNA 噪声的分析 | 第44-48页 |
| ·二端口网络噪声分析 | 第45-46页 |
| ·MOS 管的二端口网络噪声分析 | 第46-47页 |
| ·LNA 的噪声源 | 第47-48页 |
| ·LNA 的拓扑结构 | 第48-51页 |
| ·并联电阻的共源放大器结构 | 第48-49页 |
| ·共栅放大器结构 | 第49-50页 |
| ·并联－串联反馈放大器结构 | 第50页 |
| ·源级电感负反馈共源放大器结构 | 第50-51页 |
| ·LNA 的经典优化技术 | 第51-56页 |
| ·CNM 技术 | 第51-52页 |
| ·SNIM 技术 | 第52-53页 |
| ·PCNO 技术 | 第53-54页 |
| ·PCSNIM 技术 | 第54-56页 |
| ·低功耗低噪声放大器的设计 | 第56-63页 |
| ·传统型cascode 低噪放设计 | 第56-58页 |
| ·两级共源电流复用低噪放设计 | 第58-60页 |
| ·电路设计及仿真结果 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 混频器设计 | 第64-89页 |
| ·混频器的基本原理和性能参数 | 第64-68页 |
| ·混频器的基本原理 | 第64-65页 |
| ·混频器的主要性能指标 | 第65-68页 |
| ·混频器的分类 | 第68-72页 |
| ·无源混频器 | 第68-70页 |
| ·有源混频器 | 第70-72页 |
| ·Gilbert 混频器的分析 | 第72-80页 |
| ·Gilbert 混频器的转换增益分析 | 第72-73页 |
| ·Gilbert 混频器的噪声分析 | 第73-75页 |
| ·Gilbert 混频器的线性度（IIP3）分析 | 第75-77页 |
| ·Gilbert 混频器的两阶线性度（IIP2）分析 | 第77-80页 |
| ·混频器电路的设计 | 第80-85页 |
| ·跨导级电路设计 | 第80-81页 |
| ·开关级设计 | 第81页 |
| ·负载电路设计 | 第81-82页 |
| ·电流注入电路 | 第82-83页 |
| ·偏置电路的设计 | 第83-85页 |
| ·输出级电路 | 第85页 |
| ·仿真结果 | 第85-88页 |
| ·射频输入端口匹配 | 第85-86页 |
| ·转换增益 | 第86页 |
| ·噪声系数 | 第86-87页 |
| ·三阶交调点 | 第87-88页 |
| ·总结 | 第88-89页 |
| 第五章 版图设计与电路测试 | 第89-95页 |
| ·射频电路版图设计的注意事项 | 第89-90页 |
| ·电路中各模块版图设计 | 第90-92页 |
| ·电路测试 | 第92-94页 |
| ·常见射频参数测量方法 | 第92-93页 |
| ·测试方案设计 | 第93-94页 |
| ·本章小结 | 第94-95页 |
| 第六章 总结 | 第95-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-104页 |
| 附录 | 第104页 |