摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-14页 |
1.1 选题依据和研究意义 | 第11-12页 |
1.2 国内外研究现状和发展态势 | 第12-13页 |
1.3 本文的主要贡献与创新 | 第13页 |
1.4 本论文的结构安排 | 第13-14页 |
第二章 光电探测原理及其抗辐照加固设计理论 | 第14-46页 |
2.1 光电探测芯片基本结构及其数据传输特点 | 第14-17页 |
2.1.1 光电探测芯片的基本构成 | 第14-15页 |
2.1.2 光电探测芯片数据传输格式及特点 | 第15页 |
2.1.3 光电探测芯片噪声和带宽对数据传输的影响 | 第15-17页 |
2.2 光探测器 | 第17-28页 |
2.2.1 光探测器基本工作原理 | 第17-18页 |
2.2.2 光探测器主要指标 | 第18-26页 |
2.2.3 标准CMOS工艺下的光探测器 | 第26-28页 |
2.3 跨阻放大器 | 第28-36页 |
2.3.1 跨阻放大器主要指标 | 第28-30页 |
2.3.2 跨阻放大器拓扑结构对比 | 第30-36页 |
2.4 均衡器 | 第36-42页 |
2.4.1 均衡器工作原理 | 第36-39页 |
2.4.2 均衡器基本电路 | 第39-42页 |
2.5 抗辐照加固基础理论 | 第42-45页 |
2.5.1 位移损伤效应 | 第43页 |
2.5.2 单粒子效应 | 第43-44页 |
2.5.3 总剂量效应 | 第44-45页 |
2.6 本章小结 | 第45-46页 |
第三章 光探测器设计及其建模 | 第46-57页 |
3.1 叉指光探测器设计 | 第46-52页 |
3.1.1 器件仿真 | 第47-48页 |
3.1.2 器件设计结果 | 第48-49页 |
3.1.3 建立小信号模型 | 第49-52页 |
3.2 差分光探测器设计 | 第52-56页 |
3.2.1 器件仿真 | 第52-54页 |
3.2.2 器件设计结果 | 第54页 |
3.2.3 建立小信号模型 | 第54-56页 |
3.3 本章小结 | 第56-57页 |
第四章 环栅MOS单元库 | 第57-66页 |
4.1 等效宽长比 | 第57-58页 |
4.2 寄生电容的变化 | 第58-60页 |
4.3 环栅MOS单元库的建立 | 第60-64页 |
4.4 本章小结 | 第64-66页 |
第五章 10MBd抗辐照加固光电探测芯片 | 第66-93页 |
5.1 光探测器及其跨阻放大器带宽的选择 | 第66页 |
5.2 跨阻放大器设计 | 第66-75页 |
5.2.1 设计考虑 | 第66页 |
5.2.2 电路设计 | 第66-74页 |
5.2.3 仿真结果 | 第74-75页 |
5.3 比较器设计 | 第75-81页 |
5.3.1 电路设计 | 第76-80页 |
5.3.2 仿真结果 | 第80-81页 |
5.4 脉宽失真补偿电路 | 第81-88页 |
5.4.1 脉宽失真及其补偿原理 | 第81-82页 |
5.4.2 电路设计 | 第82-87页 |
5.4.3 仿真结果 | 第87-88页 |
5.5 抗辐照加固设计 | 第88-91页 |
5.5.1 环栅MOS加固 | 第88页 |
5.5.2 动态阈值MOS加固 | 第88-91页 |
5.5.3 光探测器加固 | 第91页 |
5.6 光电探测芯片系统框图 | 第91-92页 |
5.7 本章小结 | 第92-93页 |
第六章 30MBd光电探测芯片 | 第93-105页 |
6.1 采用均衡器技术的 30MBd光电探测芯片 | 第93-99页 |
6.1.1 均衡器设计 | 第93-99页 |
6.1.2 采用均衡器技术的光电探测芯片拓扑 | 第99页 |
6.2 采用差分光探测器的 30MBd光电探测芯片 | 第99-104页 |
6.2.1 差分跨阻放大器设计 | 第99-104页 |
6.2.2 采用差分光探测器的光电探测芯片拓扑 | 第104页 |
6.3 本章小结 | 第104-105页 |
第七章 芯片版图及仿真 | 第105-111页 |
7.1 芯片版图 | 第105-107页 |
7.2 芯片仿真 | 第107-110页 |
7.3 本章小结 | 第110-111页 |
第八章 总结与展望 | 第111-113页 |
致谢 | 第113-114页 |
参考文献 | 第114-119页 |
攻读硕士学位期间取得的成果 | 第119-120页 |