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基于CMOS工艺的抗辐射加固光电探测芯片设计

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第11-14页
    1.1 选题依据和研究意义第11-12页
    1.2 国内外研究现状和发展态势第12-13页
    1.3 本文的主要贡献与创新第13页
    1.4 本论文的结构安排第13-14页
第二章 光电探测原理及其抗辐照加固设计理论第14-46页
    2.1 光电探测芯片基本结构及其数据传输特点第14-17页
        2.1.1 光电探测芯片的基本构成第14-15页
        2.1.2 光电探测芯片数据传输格式及特点第15页
        2.1.3 光电探测芯片噪声和带宽对数据传输的影响第15-17页
    2.2 光探测器第17-28页
        2.2.1 光探测器基本工作原理第17-18页
        2.2.2 光探测器主要指标第18-26页
        2.2.3 标准CMOS工艺下的光探测器第26-28页
    2.3 跨阻放大器第28-36页
        2.3.1 跨阻放大器主要指标第28-30页
        2.3.2 跨阻放大器拓扑结构对比第30-36页
    2.4 均衡器第36-42页
        2.4.1 均衡器工作原理第36-39页
        2.4.2 均衡器基本电路第39-42页
    2.5 抗辐照加固基础理论第42-45页
        2.5.1 位移损伤效应第43页
        2.5.2 单粒子效应第43-44页
        2.5.3 总剂量效应第44-45页
    2.6 本章小结第45-46页
第三章 光探测器设计及其建模第46-57页
    3.1 叉指光探测器设计第46-52页
        3.1.1 器件仿真第47-48页
        3.1.2 器件设计结果第48-49页
        3.1.3 建立小信号模型第49-52页
    3.2 差分光探测器设计第52-56页
        3.2.1 器件仿真第52-54页
        3.2.2 器件设计结果第54页
        3.2.3 建立小信号模型第54-56页
    3.3 本章小结第56-57页
第四章 环栅MOS单元库第57-66页
    4.1 等效宽长比第57-58页
    4.2 寄生电容的变化第58-60页
    4.3 环栅MOS单元库的建立第60-64页
    4.4 本章小结第64-66页
第五章 10MBd抗辐照加固光电探测芯片第66-93页
    5.1 光探测器及其跨阻放大器带宽的选择第66页
    5.2 跨阻放大器设计第66-75页
        5.2.1 设计考虑第66页
        5.2.2 电路设计第66-74页
        5.2.3 仿真结果第74-75页
    5.3 比较器设计第75-81页
        5.3.1 电路设计第76-80页
        5.3.2 仿真结果第80-81页
    5.4 脉宽失真补偿电路第81-88页
        5.4.1 脉宽失真及其补偿原理第81-82页
        5.4.2 电路设计第82-87页
        5.4.3 仿真结果第87-88页
    5.5 抗辐照加固设计第88-91页
        5.5.1 环栅MOS加固第88页
        5.5.2 动态阈值MOS加固第88-91页
        5.5.3 光探测器加固第91页
    5.6 光电探测芯片系统框图第91-92页
    5.7 本章小结第92-93页
第六章 30MBd光电探测芯片第93-105页
    6.1 采用均衡器技术的 30MBd光电探测芯片第93-99页
        6.1.1 均衡器设计第93-99页
        6.1.2 采用均衡器技术的光电探测芯片拓扑第99页
    6.2 采用差分光探测器的 30MBd光电探测芯片第99-104页
        6.2.1 差分跨阻放大器设计第99-104页
        6.2.2 采用差分光探测器的光电探测芯片拓扑第104页
    6.3 本章小结第104-105页
第七章 芯片版图及仿真第105-111页
    7.1 芯片版图第105-107页
    7.2 芯片仿真第107-110页
    7.3 本章小结第110-111页
第八章 总结与展望第111-113页
致谢第113-114页
参考文献第114-119页
攻读硕士学位期间取得的成果第119-120页

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