| 摘要 | 第9-10页 |
| Abstract | 第10页 |
| 第1章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第11-12页 |
| 1.2 MOS工艺变量特性的研究现状 | 第12-15页 |
| 1.2.1 Inter-die变量 | 第14页 |
| 1.2.2 Intra-die变量 | 第14-15页 |
| 1.3 器件模型统计分析的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.4 论文工作与内容安排 | 第16-17页 |
| 第2章 MOS器件模型和常用仿真工具 | 第17-21页 |
| 2.1 MOS器件模型简介 | 第17-18页 |
| 2.2 MOS器件基本结构 | 第18-19页 |
| 2.3 仿真工具 | 第19-20页 |
| 2.4 本章小结 | 第20-21页 |
| 第3章 MOS器件测量及模型统计参数提取 | 第21-32页 |
| 3.1 器件参数测量 | 第21-28页 |
| 3.1.1 常用参数测量方法 | 第23-27页 |
| 3.1.2 电学测量数据转换 | 第27-28页 |
| 3.2 统计参数提取方法 | 第28-31页 |
| 3.2.1 专业软件提取 | 第29页 |
| 3.2.2 BPV方法 | 第29-31页 |
| 3.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第4章 传统的统计模型分析 | 第32-43页 |
| 4.1 边缘模型简介 | 第32-33页 |
| 4.2 传统Worst Case方法 | 第33-37页 |
| 4.3 Monte Carlo分析方法 | 第37-42页 |
| 4.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第5章 基于局部深度算法的边缘模型(LDCM) | 第43-53页 |
| 5.1 LDCM算法来源 | 第43-46页 |
| 5.1.1 算法的基本原理 | 第44-45页 |
| 5.1.2 功能实现 | 第45-46页 |
| 5.2 模型验证与比较 | 第46-51页 |
| 5.2.1 通过BSIMProPlus利用LDCM算法得到边缘模型 | 第46-47页 |
| 5.2.2 器件级验证 | 第47-50页 |
| 5.2.3 电路级验证 | 第50-51页 |
| 5.3 LDCM与ELDCM | 第51-52页 |
| 5.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第6章 响应表面模型(RSM)分析模型 | 第53-59页 |
| 6.1 回归分析方法 | 第53-54页 |
| 6.2 回归分析模型的应用 | 第54-57页 |
| 6.2.1 选择所需模型的阶数 | 第54-55页 |
| 6.2.2 系数拟合 | 第55页 |
| 6.2.3 功能实现 | 第55-57页 |
| 6.3 模型验证 | 第57-58页 |
| 6.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第7章 全文总结和展望 | 第59-61页 |
| 7.1 工作总结 | 第59页 |
| 7.2 工作展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 附录一 | 第66-68页 |
| 附录二 | 第68-70页 |
| 附录三 | 第70-72页 |
| 附录四 | 第72-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 附件 | 第80页 |