| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 SiC 肖特基二极管的研究意义和发展现状 | 第8-10页 |
| 1.2 SiC FJ-SBD 二极管的研究现状 | 第10-11页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第11-14页 |
| 第二章 SiC FJ-SBD 的二维仿真及三维模拟简介 | 第14-28页 |
| 2.1 SiC FJ-SBD 二极管的工作原理 | 第14-15页 |
| 2.2 SiC FJ-SBD 的二维模拟研究 | 第15-18页 |
| 2.3 三维仿真模拟工具 | 第18-26页 |
| 2.3.1 SDE 器件结构编辑工具 | 第19-21页 |
| 2.3.2 器件模型和材料参数的选取 | 第21-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 三维浮动结 SBD 器件的设计 | 第28-36页 |
| 3.1 三维浮动结 SBD 器件的结构及参数 | 第29-30页 |
| 3.2 三维浮动结 SBD 器件的特性模拟 | 第30-33页 |
| 3.2.1 三维浮动结 SBD 器件的击穿特性模拟 | 第30-31页 |
| 3.2.2 三维浮动结 SBD 器件的正向特性模拟 | 第31-33页 |
| 3.2.3 结果分析与讨论 | 第33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-36页 |
| 第四章 SiC FJ-SBD 器件的浮动结形状与排布设计 | 第36-50页 |
| 4.1 不同的 SBD 器件的浮动结形状比较 | 第36-42页 |
| 4.1.1 不同浮动结形状的 SiC SBD 器件的反向击穿电压比较 | 第37-39页 |
| 4.1.2 不同浮动结形状的 SiC SBD 器件的正向导通电阻比较与分析 | 第39-42页 |
| 4.2 不同 SiC SBD 浮动结排布的比较 | 第42-48页 |
| 4.2.1 不同浮动结排布的 SiC SBD 器件比较 | 第42-45页 |
| 4.2.2 k 值一定时不同浮动结排布 SiC SBD 器件的比较与分析 | 第45-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-54页 |
| 致谢 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 研究成果 | 第60-61页 |
