| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 引言 | 第5-20页 |
| 1.1 刻蚀工艺简介 | 第5-6页 |
| 1.2 干法刻蚀的工艺参数 | 第6-10页 |
| 1.3 等离子体刻蚀技术 | 第10-16页 |
| 1.3.1 等离子体原理 | 第10-13页 |
| 1.3.2 刻蚀等离子体产生方式 | 第13-16页 |
| 1.4 55nm逻辑电路中刻蚀的应用 | 第16-17页 |
| 1.5 钝化膜(Al Passivation)结构 | 第17-18页 |
| 1.6 论文的组织结构 | 第18-20页 |
| 第二章 钝化膜(Al Passivation)刻蚀 | 第20-40页 |
| 2.1 55nm逻辑电路钝化膜的组成 | 第20-22页 |
| 2.2 钝化膜刻蚀设备的选择 | 第22-25页 |
| 2.3 55nm逻辑电路钝化膜的刻蚀方法 | 第25-35页 |
| 2.3.1 电介质刻蚀 | 第25-27页 |
| 2.3.2 铝刻蚀 | 第27-29页 |
| 2.3.3 TiN刻蚀 | 第29-30页 |
| 2.3.4 射频的选择 | 第30-32页 |
| 2.3.5 55nm逻辑电路钝化膜的刻蚀程式 | 第32-35页 |
| 2.4 55nm逻辑电路钝化膜刻蚀制品分析 | 第35-39页 |
| 2.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 钝化膜刻蚀(Al Passivation)工艺的改进 | 第40-50页 |
| 3.1 WAC(Waferless auto clean)的改进试验 | 第40-42页 |
| 3.2 TiN刻蚀工艺的改进 | 第42-46页 |
| 3.2.1 TiN刻蚀工艺改进试验 | 第42-43页 |
| 3.2.2 钝化膜刻蚀新工艺程式改进试验 | 第43-46页 |
| 3.3 上电极清洗改进试验 | 第46-48页 |
| 3.4 新钝化膜工艺程式验证 | 第48-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
