三维高密度集成电路中锥形硅通孔电特性研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-10页 |
| 1.2 研究现状 | 第10-15页 |
| 1.2.1 硅通孔及其工艺技术 | 第10-13页 |
| 1.2.2 硅通孔的等效模型研究 | 第13-15页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 硅通孔电路参数提取理论基础 | 第17-35页 |
| 2.1 引言 | 第17-19页 |
| 2.2 硅通孔对电路参数提取理论 | 第19-29页 |
| 2.2.1 硅通孔的电流连续性 | 第19-22页 |
| 2.2.2 硅通孔的 MOS 结构 | 第22-26页 |
| 2.2.3 硅通孔对的传输线模型与 S 参数 | 第26-29页 |
| 2.3 部分等效元电路法(PEEC) | 第29-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 硅通孔的等效电路模型 | 第35-56页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 圆柱硅通孔对 RLGC 模型 | 第35-41页 |
| 3.2.1 圆柱硅通孔对 RLGC 模型求解 | 第36-38页 |
| 3.2.2 理论值与仿真验证 | 第38-41页 |
| 3.3 锥形硅通孔对的 RLGC 模型 | 第41-52页 |
| 3.3.1 锥形硅通孔对 RLGC 模型求解 | 第42-47页 |
| 3.3.2 理论验证与 S 参数仿真 | 第47-52页 |
| 3.4 锥形硅通孔阵列的 RLGC 模型 | 第52-55页 |
| 3.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 硅通孔的电性能分析 | 第56-63页 |
| 4.1 引言 | 第56页 |
| 4.2 包含硅通孔的驱动电路模型 | 第56-59页 |
| 4.3 数字信号下电性能分析 | 第59-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 总结和展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果 | 第71-74页 |
| 附件 | 第74页 |
