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大尺寸HVPE反应器寄生沉积的数值模拟与优化

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第10-19页
    1.1 GaN材料的基本性质第10-11页
    1.2 HVPE生长GaN薄膜第11-14页
        1.2.1 HVPE生长GaN薄膜的基本原理第11-12页
        1.2.2 外延衬底第12-13页
        1.2.3 HVPE反应器类型第13-14页
    1.3 HVPE反应器的寄生沉积及研究现状第14-17页
    1.4 存在的问题和本文研究内容第17-19页
        1.4.1 存在的问题第17-18页
        1.4.2 本文研究内容第18-19页
第二章 GaN-HVPE化学反应的分析与模拟简化第19-27页
    2.1 GaN-HVPE薄膜生长机理第19-20页
    2.2 HVPE输运过程第20-21页
    2.3 GaN-HVPE过程的化学反应分析第21-25页
        2.3.1 镓舟处的化学反应第22-23页
        2.3.2 GaN-HVPE气相反应第23页
        2.3.3 GaN-HVPE表面反应第23-25页
    2.4 本文采用的化学反应模型第25-27页
第三章 寄生沉积数学模型的建立第27-36页
    3.1 基本假设第27-28页
    3.2 控制方程第28-30页
        3.2.1 控制方程第28页
        3.2.2 质量输运方程第28-30页
    3.3 化学反应设置第30-31页
    3.4 边界条件第31页
    3.5 物性参数第31-33页
        3.5.1 单一气体的热物性参数第32页
        3.5.2 混合气体热物性参数第32-33页
    3.6 FLUENT简介及数值计算方法第33-35页
        3.6.1 FLUENT简介第33-35页
    3.7 小结第35-36页
第四章 HVPE反应器寄生沉积的数值模拟与优化第36-46页
    4.1 三维数值模型第36-37页
        4.1.1 HVPE反应器模型第36页
        4.1.2 三维数值模型设置第36-37页
    4.2 模拟结果与讨论第37-44页
        4.2.1 基准条件下模拟结果第37-39页
        4.2.2 改变NH_3管载气N_2流量的影响第39-41页
        4.2.3 改变GaCl管载气N_2流量的影响第41-42页
        4.2.4 增大托盘转速第42-44页
    4.3 小结第44-46页
第五章 取消顶壁的反应器数值模拟第46-62页
    5.1 新模型简介第46页
    5.2 三维数值模型设置第46-47页
    5.3 模拟结果与讨论第47-61页
        5.3.1 基准条件下模拟结果对比第47-48页
        5.3.2 改变隔离N_2流量第48-51页
        5.3.3 改变GaCl载气N_2流量第51-53页
        5.3.4 改变NH_3载气N_2流量第53-56页
        5.3.5 改变喷口气流方向第56-58页
        5.3.6 改变进口温度第58-61页
    5.4 小结第61-62页
第六章 全文总结与展望第62-64页
    6.1 全文总结第62-63页
    6.2 工作展望第63-64页
参考文献第64-66页
致谢第66-67页
攻读硕士学位期间发表的论文第67页

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