三维集成电路硅通孔动态功耗优化
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第10-11页 |
| 缩略语对照表 | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| 1.1 研究背景 | 第14-16页 |
| 1.2 研究现状 | 第16-21页 |
| 1.2.1 SIP中的引线键合 | 第16-17页 |
| 1.2.2 外围垂直互连 | 第17-19页 |
| 1.2.3 区域阵列垂直互连 | 第19-20页 |
| 1.2.4 硅通孔垂直互连 | 第20-21页 |
| 1.3 研究目标与论文结构 | 第21-24页 |
| 第二章 TSV电学参数提取 | 第24-32页 |
| 2.1 TSV制造技术 | 第24-26页 |
| 2.2 TSV结构 | 第26-27页 |
| 2.3 TSV填充材料 | 第27-28页 |
| 2.4 TSV互连结构电参数提取 | 第28-30页 |
| 2.4.1 寄生电阻提取 | 第28-29页 |
| 2.4.2 寄生电容提取 | 第29页 |
| 2.4.3 寄生电感提取 | 第29-30页 |
| 2.4.4 寄生电导提取 | 第30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 TSV动态功耗模型建立 | 第32-46页 |
| 3.1 互连功耗的来源 | 第32-36页 |
| 3.1.1 动态功耗 | 第32-33页 |
| 3.1.2 短路功耗 | 第33-34页 |
| 3.1.3 静态功耗 | 第34-36页 |
| 3.2 TSV动态功耗模型 | 第36-41页 |
| 3.2.1 三维集成电路功耗组成 | 第36-37页 |
| 3.2.2 单根TSV功耗分析 | 第37-41页 |
| 3.3 互连延时 | 第41-45页 |
| 3.3.1 三维互连延时 | 第42-44页 |
| 3.3.2 单根TSV延时分析 | 第44-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 多层TSV动态功耗优化模型 | 第46-56页 |
| 4.1 低功耗技术介绍 | 第46-47页 |
| 4.2 堆叠式TSV | 第47-49页 |
| 4.3 堆叠式TSV功耗优化模型 | 第49-54页 |
| 4.3.1 逐级缩减的TSV模型 | 第49-51页 |
| 4.3.2 改变约束条件下的优化情况 | 第51-52页 |
| 4.3.3 改变工艺参数的影响 | 第52-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 总结 | 第56页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 作者简介 | 第64-65页 |
