| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| 第一节 集成电路的定义与发展过程 | 第7-11页 |
| 1.1.1 集成电路的定义 | 第7页 |
| 1.1.2 集成电路发展历史 | 第7-10页 |
| 1.1.3 集成电路发展所面临的挑战 | 第10-11页 |
| 第二节 CMOS绝缘栅的现状 | 第11-15页 |
| 1.2.1 集成电路栅氧化层的性质与界面特性 | 第11-12页 |
| 1.2.2 氮化硅取代氧化硅作为栅氧化层的原因 | 第12-15页 |
| 第二章 氮氧硅的制造工艺 | 第15-27页 |
| 第一节 掺氮工艺的目的 | 第15页 |
| 第二节 掺氮工艺技术的种类 | 第15-20页 |
| 2.2.1 热氮化工艺技术 | 第15-16页 |
| 2.2.2 等离子氮化技术 | 第16-18页 |
| 2.2.3 DPN设备介绍 | 第18-19页 |
| 2.2.4 等离子体的产生 | 第19-20页 |
| 2.2.5 DPN工艺流程 | 第20页 |
| 第三节 DPN氮化后的在线测量 | 第20-22页 |
| 第四节 氮原子在绝缘栅中的分布 | 第22-24页 |
| 第五节 等离子氮化后的快速回火(PNA：Post Nitridation Anneal) | 第24-27页 |
| 第三章 ISSG技术的介绍 | 第27-34页 |
| 第一节 ISSG技术的基本原理 | 第27-28页 |
| 第二节 ISSG技术的影响参数 | 第28-31页 |
| 3.2.1 温度 | 第28-29页 |
| 3.2.2 压力 | 第29-30页 |
| 3.2.3 氢氧比例 | 第30页 |
| 3.2.4 反应时间 | 第30-31页 |
| 第三节 ISSG技术对栅开启电压(VT)稳定性的改善 | 第31-32页 |
| 第四节 ISSG技术对颗粒污染的改善 | 第32-34页 |
| 第四章 DPN对NBTI效应和闪烁噪声1/f的优化 | 第34-48页 |
| 第一节 DPN对闪烁噪声1/f的改进 | 第34-40页 |
| 4.1.1 1/f噪声的基本介绍 | 第34-36页 |
| 4.1.2 掺氮工艺对器件1/f噪声的影响 | 第36-37页 |
| 4.1.3 绝缘栅层掺氮在线测试工具 | 第37-39页 |
| 4.1.4 DPN对闪烁噪声1/f的改进实验设计 | 第39-40页 |
| 第二节 DPN对NBTI效应的改进 | 第40-45页 |
| 4.2.1 NBTI效应的基本介绍 | 第40页 |
| 4.2.2 NBTI的测试方式 | 第40-43页 |
| 4.2.3 DPN对NBTI效应的优化 | 第43-44页 |
| 4.2.4 DPN对NBTI效应的改进实验设计 | 第44-45页 |
| 第三节 DPN掺氮硅栅对CMOS器件1/f噪声及NBTI效应的实验验证结 | 第45-48页 |
| 4.3.1 DPN掺氮硅栅对闪烁噪声1/f优化的实验结果 | 第45-46页 |
| 4.3.2 DPN掺氮硅栅对NBTI效应的实验结果 | 第46-48页 |
| 第五章 总结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
