| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| 1.1 研究背景 | 第13-16页 |
| 1.2 硅基毫米波相控阵研究现状 | 第16-23页 |
| 1.3 本文的组织安排 | 第23-25页 |
| 第二章 相控阵概述 | 第25-31页 |
| 2.1 相控阵系统 | 第25-26页 |
| 2.2 相控阵列(Phased arrays)和延时阵列(Timed Arrays) | 第26-27页 |
| 2.3 相控阵结构 | 第27-28页 |
| 2.4 四路全RF接收前端相控阵结构 | 第28-30页 |
| 2.5 本章总结 | 第30-31页 |
| 第三章 Ka波段CMOS低噪声放大器的研究与设计 | 第31-61页 |
| 3.1 关键指标 | 第31-44页 |
| 3.1.1 噪声系数 | 第31-33页 |
| 3.1.2 输入阻抗匹配 | 第33-37页 |
| 3.1.3 功率增益 | 第37-39页 |
| 3.1.4 稳定性 | 第39页 |
| 3.1.5 线性度 | 第39-43页 |
| 3.1.6 工作带宽 | 第43-44页 |
| 3.2 Ka波段毫米波低噪声放大器电路实现与仿真 | 第44-59页 |
| 3.2.1 设计难点 | 第44-45页 |
| 3.2.2 低噪声放大器的设计指标 | 第45页 |
| 3.2.3 低噪声放大器电路结构 | 第45-47页 |
| 3.2.4 静态工作点的设置 | 第47-48页 |
| 3.2.5 共面波导线CPW的引入 | 第48-50页 |
| 3.2.6 噪声分析和阻抗匹配 | 第50-52页 |
| 3.2.7 版图设计 | 第52-55页 |
| 3.2.8 27GHz~29GHz低噪声放大器后仿结果 | 第55-59页 |
| 3.3 本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 Ka波段CMOS 4比特无源移相器的研究与设计 | 第61-74页 |
| 4.1 移相器的关键指标 | 第61-62页 |
| 4.2 移相器分类 | 第62-65页 |
| 4.2.1 有源移相器 | 第62-63页 |
| 4.2.2 LC开关型无源移相器 | 第63-65页 |
| 4.3 27GHz~28.5GHz Ka波段4比特无源移相器电路实现与仿真 | 第65-73页 |
| 4.3.1 设计难点 | 第65页 |
| 4.3.2 设计指标 | 第65页 |
| 4.3.3 27GHz~28.5GHz 4比特无源移相器电路结构 | 第65-67页 |
| 4.3.4 单元移相电路结构分析 | 第67-68页 |
| 4.3.5 版图设计 | 第68-69页 |
| 4.3.6 后仿真结果 | 第69-73页 |
| 4.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 Ka波段威尔金森功分器/合成器的研究与设计 | 第74-93页 |
| 5.1 散射矩阵和功率分配器特性 | 第74-76页 |
| 5.2 功率分配器类型和属性 | 第76-80页 |
| 5.3 威尔金森功分器理论基础 | 第80-86页 |
| 5.3.1 奇模分析 | 第80-83页 |
| 5.3.2 偶模分析 | 第83-85页 |
| 5.3.3 入射反射电压和散射矩阵 | 第85-86页 |
| 5.4 27GHz~29GHz威尔金森功率分配器/合成器设计 | 第86-92页 |
| 5.4.1 共面波导线设计 | 第87-89页 |
| 5.4.2 版图设计与电磁场仿真 | 第89-90页 |
| 5.4.3 后仿真结果 | 第90-92页 |
| 5.5 本章小结 | 第92-93页 |
| 第六章 Ka波段27.5GHz～28.5GHz四路相控阵接收前端电路的研究与设计 | 第93-104页 |
| 6.1 27.5GHz~28.5GHz单路接收前端相控单元设计 | 第93-99页 |
| 6.1.1 低噪声放大器 | 第94页 |
| 6.1.2 无源移相器 | 第94-95页 |
| 6.1.3 增益补偿放大器 | 第95-97页 |
| 6.1.4 单路接收前端相控单元版图 | 第97页 |
| 6.1.5 单路接收前端相控单元后仿真结果 | 第97-99页 |
| 6.3 四路相控阵接收前端电路版图设计 | 第99-101页 |
| 6.4 后仿真结果 | 第101-103页 |
| 6.5 本章小结 | 第103-104页 |
| 第七章 总结和展望 | 第104-106页 |
| 7.1 总结 | 第104-105页 |
| 7.2 展望 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-113页 |
| 附件 | 第113-114页 |
| 硕士期间发表论文与专利申请情况 | 第114-115页 |
| 致谢 | 第115页 |
