| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·功率半导体的发展 | 第10-12页 |
| ·纵向功率 MOS 器件简介 | 第12-17页 |
| ·本文主要工作 | 第17-18页 |
| 第二章 Super Junction 理论和高 K 材料理论简介 | 第18-24页 |
| ·Super Junction 理论 | 第18-21页 |
| ·Super Junction 结构 | 第18-19页 |
| ·Super Junction 理论分析 | 第19-21页 |
| ·高 K 材料简介 | 第21-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 具有高 K 介质槽的 MOS 器件研究 | 第24-44页 |
| ·HK SJ VDMOS 器件结构及机理 | 第24-26页 |
| ·HK SJ VDMOS 各参数对器件特性的影响 | 第26-32页 |
| ·击穿电压与比导通电阻 | 第26-29页 |
| ·介电常数 K 值 | 第29-30页 |
| ·结构参数 | 第30-32页 |
| ·HK SJ VDMOS 器件的关键工艺步骤 | 第32-36页 |
| ·HK TG VDMOS 器件结构及机理 | 第36-37页 |
| ·HK TG VDMOS 各参数对器件特性的影响 | 第37-41页 |
| ·击穿电压与比导通电阻 | 第38-40页 |
| ·介电常数 K 值 | 第40-41页 |
| ·结构参数 | 第41页 |
| ·HK TG VDMOS 器件的关键工艺步骤 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 改进型高 K 介质槽的 VDMOS 研究 | 第44-60页 |
| ·Semi-HK VDMOS 器件结构与机理 | 第44-46页 |
| ·结构特征 | 第44-45页 |
| ·工作机理分析 | 第45-46页 |
| ·Semi-HK VDMOS 各参数对器件特性的影响 | 第46-51页 |
| ·buffer 层厚度 LBUF | 第46-47页 |
| ·掺杂浓度 | 第47-49页 |
| ·高 K 介质槽宽度 WHK | 第49页 |
| ·N 柱区宽度 Wn | 第49-51页 |
| ·Semi-HK VDMOS 器件的关键工艺步骤 | 第51-54页 |
| ·HK N/N- VDMOS 器件结构与机理 | 第54-55页 |
| ·结构特征 | 第54页 |
| ·工作机理分析 | 第54-55页 |
| ·HK N/N- VDMOS 各参数对器件特性的影响 | 第55-57页 |
| ·高 K 介质槽宽度 WHK和 K 值 | 第55-56页 |
| ·N 柱区宽度 Wn | 第56-57页 |
| ·动态特性 | 第57页 |
| ·HK N/N- VDMOS 器件的关键工艺步骤 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第65-66页 |
