| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| ·SOI 高压器件概述 | 第11-12页 |
| ·硅技术在 SOI 高压器件应用的现状 | 第12-14页 |
| ·本文的主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 双栅 SOITripleRESURF MOSFET 特性研究 | 第16-44页 |
| ·RESURF 理论及应用 | 第16-22页 |
| ·Single RESURF 理论及应用 | 第16-19页 |
| ·Double RESURF 理论与应用 | 第19-21页 |
| ·Triple RESURF 理论及应用 | 第21-22页 |
| ·SOI 槽栅 LDMOS | 第22-26页 |
| ·双栅 SOITripleRESURF MOSFET | 第26-33页 |
| ·器件结构和机理 | 第27-29页 |
| ·器件的比导通电阻特性 | 第29-31页 |
| ·器件的耐压特性 | 第31-33页 |
| ·DG-T-RESURF 结构的参数优化 | 第33-37页 |
| ·P 埋层距器件表面D-1的优化 | 第33-34页 |
| ·P 埋层距器件边缘D-2的优化 | 第34页 |
| ·P 埋层厚度 T_(bp)的优化 | 第34-35页 |
| ·P 埋层长度 L_(bp)的优化 | 第35-36页 |
| ·DG-T-RESURF 器件参数和性能的汇总 | 第36-37页 |
| ·双栅 SOITriple RESURF MOSFET 的工艺制备 | 第37-42页 |
| ·双栅 SOITriple RESURF MOSFET 的版图设计 | 第42页 |
| ·本章总结 | 第42-44页 |
| 第三章 带有凹漏与双栅的 SOI MOSFET 特性分析 | 第44-58页 |
| ·带 P-top 的单栅 LDMOS | 第44-45页 |
| ·带 P-top 的平面栅 LDMOS | 第44-45页 |
| ·带 P-top 的槽栅 LDMOS | 第45页 |
| ·带有凹漏与双栅的低阻 SOI MOSFET | 第45-52页 |
| ·器件结构特点及工作机理 | 第46-48页 |
| ·器件的比导通电阻特性 | 第48-50页 |
| ·器件的击穿电压特性 | 第50-52页 |
| ·DGRD MOSFET 的动态特性 | 第52-53页 |
| ·DGRD MOSFET 参数的优化 | 第53-56页 |
| ·P-top 层参数的优化 | 第53-55页 |
| ·凹漏电极到埋氧层的距离T-dr参数的优化 | 第55页 |
| ·参数和性能的汇总 | 第55-56页 |
| ·DGRD MOSFET 的工艺制备 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 高压低阻槽型 SOI 功率器件特性分析 | 第58-72页 |
| ·SOI MT LDMOS | 第58-65页 |
| ·器件结构特点和工作机理 | 第58-60页 |
| ·器件的耐压特性 | 第60-63页 |
| ·器件的比导通电阻特性 | 第63-65页 |
| ·SOI MT LDMOS 参数的优化 | 第65-67页 |
| ·氧化槽深度D-T的优化 | 第65-66页 |
| ·氧化槽宽度W-T的优化 | 第66-67页 |
| ·氧化槽数量的优化 | 第67页 |
| ·SOI MT LDMOS 的优势与工艺制备 | 第67-71页 |
| ·SOI MT LDMOS 的优势 | 第67-69页 |
| ·SOI MT LDMOS 的工艺制备 | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 结论 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第77-78页 |
