| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·研究背景及意义 | 第9-13页 |
| ·半导体集成电路行业发展现状 | 第9-11页 |
| ·NBTI 效应及其对大规模集成电路的可靠性影响 | 第11-13页 |
| ·0.13μm CMOS 工艺PMOSFET 中NBTI 效应的研究意义 | 第13页 |
| ·NBTI 效应国内外研究现状 | 第13-16页 |
| ·NBTI 机理研究 | 第14页 |
| ·NBTI 效应与栅氧介质及工艺的关系 | 第14-15页 |
| ·NBTI 效应对于电路性能的影响 | 第15页 |
| ·NBTI 和HCI 互耦合机制的研究 | 第15-16页 |
| ·本论文研究内容 | 第16-19页 |
| 第二章 NBTI 测试结构及试验条件准备 | 第19-27页 |
| ·测试结构预计及设计 | 第19-22页 |
| ·温度应力的精准控制测试结构化 | 第22-24页 |
| ·封装与测试 | 第24-27页 |
| 第三章 NBTI 试验及测试方案 | 第27-33页 |
| ·测试方案思路 | 第27-31页 |
| ·加速寿命模型 | 第27-29页 |
| ·试验目标及试验设计 | 第29-31页 |
| ·阈值电压及其他参数的测定方法 | 第31-33页 |
| 第四章 PMOSFET 的 NBTI 退化情况及其机理 | 第33-41页 |
| ·PMOSFET 静态参数随NBTI 应力时间的退化 | 第33-36页 |
| ·引起NBTI 效应机理介绍 | 第36-41页 |
| 第五章 NBTI 寿命试验 | 第41-49页 |
| ·应力时间t 与阈值电压漂移量的关系 | 第41-43页 |
| ·温度应力T 与阈值电压漂移量的关系 | 第43-44页 |
| ·栅极电压Vgs 与阈值电压漂移量的关系 | 第44-45页 |
| ·器件尺寸W 与L 与阈值电压漂移量的关系 | 第45-46页 |
| ·NBTI 寿命模型建立 | 第46-49页 |
| 第六章 动态NBTI 效应研究 | 第49-61页 |
| ·动态NBTI 效应的机理 | 第50-52页 |
| ·动态NBTI 效应与频率的关系 | 第50页 |
| ·动态NBTI 效应与占空比的关系 | 第50-51页 |
| ·动态NBTI 效应与应力栅电场的关系 | 第51-52页 |
| ·动态NBTI 效应的试验设置 | 第52页 |
| ·动态 NBTI 试验及分析 | 第52-57页 |
| ·动态 NBTI 下 PMOSFET 的退化情况 | 第53页 |
| ·动态 NBTI 不同频率下阈值电压的退化 | 第53-54页 |
| ·动态 NBTI 不同占空比的情况下阈值电压的退化 | 第54-55页 |
| ·动态 NBTI 不同温度的情况下阈值电压的退化 | 第55-56页 |
| ·动态 NBTI 不同电应力条件下阈值电压的退化 | 第56-57页 |
| ·动态 NBTI 效应模型 | 第57-61页 |
| 第七章 结束语 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
