| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·VDMOS 场效应晶体管的研究现状与发展趋势 | 第8-12页 |
| ·低压大电流VDMOS 晶体管的研发趋势 | 第8-10页 |
| ·高压大电流VDMOS 晶体管的研发趋势 | 第10-12页 |
| ·VDMOS 的市场前景 | 第12页 |
| ·本文的主要内容与工作 | 第12-13页 |
| 第二章 VDMOS 导通电阻模型 | 第13-29页 |
| ·引言 | 第13-15页 |
| ·VDMOS 基本结构与工作原理 | 第13-14页 |
| ·国外导通电阻模型总结 | 第14-15页 |
| ·VDMOS 导通电阻模型的建立 | 第15-24页 |
| ·沟道电阻 | 第16-17页 |
| ·积累层电阻 | 第17页 |
| ·颈区JFET 电阻 | 第17-19页 |
| ·外延层漂移区电阻 | 第19-24页 |
| ·讨论 | 第24-28页 |
| ·模型的验证 | 第24-26页 |
| ·基于导通电阻模型的VDMOS 结构优化设计 | 第26-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 VDMOS 等效电路SPICE 模型 | 第29-49页 |
| ·引言 | 第29-32页 |
| ·SPICE 器件模型的发展 | 第29-30页 |
| ·SPICE 模拟的一般过程 | 第30-32页 |
| ·VDMOS 中的寄生器件分析与等效电路模型的建立 | 第32-38页 |
| ·双扩散 MOSFET | 第32-33页 |
| ·寄生结型场效应管JFET | 第33-34页 |
| ·寄生三极管 | 第34-35页 |
| ·寄生二极管 | 第35页 |
| ·寄生电容 | 第35-37页 |
| ·分布电阻与寄生电感 | 第37页 |
| ·基于VDMOS 物理结构的等效电路模型 | 第37-38页 |
| ·VDMOS 等效电路模型参数提取 | 第38-43页 |
| ·双扩散 MOSFET 参数提取 | 第38-39页 |
| ·寄生结型场效应管JFET 参数提取 | 第39-40页 |
| ·寄生二极管参数提取 | 第40-42页 |
| ·寄生电容参数提取 | 第42-43页 |
| ·讨论 | 第43-48页 |
| ·直流特性分析 | 第43页 |
| ·模型的改进 | 第43-46页 |
| ·准饱和效应 | 第46页 |
| ·瞬态特性分析 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 VDMOS 物理特性与设计分析 | 第49-55页 |
| ·P阱浓度与阈值电压的设计 | 第49-50页 |
| ·击穿电压与外延层物理参数的关系 | 第50-51页 |
| ·VDMOS 安全工作区 | 第51-52页 |
| ·温度对 VDMOS 的影响 | 第52-53页 |
| ·浮动电场环的设计 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 总结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 附录 A 导通电阻 MEDICI 文件 | 第60-62页 |
| 附录 B 电容特性 MEDICI 文件 | 第62-63页 |
| 附录 C 输出特性 MEDICI 文件 | 第63-64页 |
| 附录 D 转移特性 MEDICI 文件 | 第64-65页 |
| 附录 E 瞬态特性 MEDICI 文件 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67页 |