| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 引言 | 第8-9页 |
| 1 Poly-Si薄膜的应用 | 第9-11页 |
| ·Poly-Si薄膜在电子器件中的应用 | 第9页 |
| ·Poly-Si薄膜在太阳能电池中的应用 | 第9-10页 |
| ·Poly-Si薄膜在传感领域内的应用 | 第10-11页 |
| 2 Poly-Si薄膜的成核和光电性能 | 第11-14页 |
| ·Poly-Si薄膜的成核 | 第11-12页 |
| ·Poly-Si成核理论 | 第11页 |
| ·Poly-Si薄膜的成核 | 第11-12页 |
| ·Poly-Si薄膜的结构特点 | 第12-13页 |
| ·Poly-Si薄膜的光电性能 | 第13-14页 |
| 3 Poly-Si薄膜的低温制备方法 | 第14-21页 |
| ·在衬底上间接沉积Poly-Si薄膜 | 第14-17页 |
| ·固相晶化法 | 第14-15页 |
| ·部分掺杂法 | 第15页 |
| ·金属诱导固相晶化法 | 第15-16页 |
| ·激光晶化法 | 第16-17页 |
| ·在衬底上直接低温沉积Poly-Si薄膜 | 第17-21页 |
| ·等离子体增强化学反应气相沉积(PECVD) | 第18-19页 |
| ·热丝化学气相沉积法(HWCVD) | 第19页 |
| ·采用新的原材料 | 第19-21页 |
| 4 Poly-Si薄膜的分析方法 | 第21-28页 |
| ·反射式高能电子衍射(RHEED) | 第21-23页 |
| ·电子衍射原理 | 第21-22页 |
| ·RHEED的特点 | 第22-23页 |
| ·本实验室的RHEED装置 | 第23页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第23页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第23-25页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第25页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第25-27页 |
| ·拉曼光谱(Raman) | 第27-28页 |
| 5 ECR-PECVD低温沉积Poly-Si薄膜的实验过程 | 第28-33页 |
| ·ECR等离子体技术 | 第28-30页 |
| ·腔耦合磁多极ECR等离子体的原理和特点 | 第28-29页 |
| ·ECR等离子体应用 | 第29页 |
| ·腔耦合磁多极ECR源的结构和特点 | 第29-30页 |
| ·ECR-PECVD系统 | 第30-32页 |
| ·样品的制备 | 第32-33页 |
| 6 Poly-Si薄膜的制备与表征 | 第33-46页 |
| ·RHEED的观察结果 | 第33-35页 |
| ·TEM的观察结果 | 第35页 |
| ·SEM观察结果 | 第35-36页 |
| ·AFM的观察结果 | 第36-38页 |
| ·XRD观察结果 | 第38页 |
| ·影响Poly-Si薄膜的因素 | 第38-46页 |
| ·SiH_4流量对沉积薄膜晶化的影响 | 第38-39页 |
| ·H_2流量对薄膜晶化的影响 | 第39-41页 |
| ·温度对沉积薄膜晶化的影响 | 第41-42页 |
| ·中间层对沉积薄膜晶化的影响 | 第42-46页 |
| 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第53页 |