| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-38页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·ZnO材料的基本特性 | 第11-20页 |
| ·ZnO薄膜的生长方法 | 第20-27页 |
| ·ZnO材料的应用领域 | 第27-32页 |
| ·本论文主要内容 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-38页 |
| 第二章 生长ZnO薄膜的MOCVD反应系统 | 第38-45页 |
| ·MOCVD技术简介 | 第38-39页 |
| ·ZnO薄膜MOCVD生长源材料的选择 | 第39页 |
| ·本实验室用于ZnO生长的自制常压MOCVD生长系统 | 第39-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第三章 Ni/Si(111)模板上ZnO薄膜的生长与分析 | 第45-71页 |
| ·引言 | 第45-52页 |
| ·Si衬底ZnO薄膜的研究进展 | 第46-52页 |
| ·ZnO/Ni/Si(111)薄膜的生长系统与工艺 | 第52-57页 |
| ·采用Ni金属层和未采用Ni金属层生长ZnO/Ni/Si(111)的对比 | 第57-60页 |
| ·采用不同锌源在Ni/Si(111)模板上生长ZnO薄膜的对比 | 第60-68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 第四章 Ni/Si(111)模板上生长ZnO薄膜部分优化条件的研究 | 第71-83页 |
| ·缓冲层厚度对Ni/Si(111)模板生长ZnO的影响 | 第71-75页 |
| ·缓冲层温度对Ni/Si(111)模板生长ZnO的影响 | 第75-81页 |
| ·小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-83页 |
| 第五章 硅衬底GaN基白光LED老化特性研究 | 第83-99页 |
| ·引言 | 第83-84页 |
| ·GaN基LED的相关知识 | 第84-87页 |
| ·LED的I-V特性 | 第85页 |
| ·LED的光学特性 | 第85-87页 |
| ·LED的热学特性 | 第87页 |
| ·GaN基LED的老化失效分析 | 第87-95页 |
| ·小结 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-99页 |
| 第六章 结论 | 第99-101页 |
| 硕士生期间发表的论文目录 | 第101-102页 |
| 致谢 | 第102页 |
