| 1．绪论 | 第1-19页 |
| 1．1 超深亚微米MOS器件可靠性对超大规模集成电路进展的影响 | 第11-12页 |
| 1．2 国内外相关领域的研究进展 | 第12-17页 |
| 1．3 本论文的主要研究工作 | 第17-19页 |
| 2．短沟道MOSFET直流模型 | 第19-27页 |
| 2．1 引言 | 第19-20页 |
| 2．2 小尺寸MOSFET模型 | 第20-26页 |
| 2．3 本章小结 | 第26-27页 |
| 3．超深亚微米LDD MOSFET器件模型 | 第27-45页 |
| 3．1 引言 | 第27-28页 |
| 3．2 LDD NMOSFET器件本征I-V直流特性模型 | 第28-34页 |
| 3．3 LDD NMOSFET器件源漏串联电阻模型 | 第34页 |
| 3．4 亚阈区模型 | 第34-35页 |
| 3．5 模拟结果与分析 | 第35-44页 |
| 3．6 本章小结 | 第44-45页 |
| 4．短沟MOSFET衬底电流模型 | 第45-60页 |
| 4．1 引言 | 第45页 |
| 4．2 衬底电流模型 | 第45-49页 |
| 4．3 LDD MOSFET器件衬底电流模型分析 | 第49-57页 |
| 4．4 包含衬底电流的LDD MOSFET漏电流模型 | 第57-59页 |
| 4．5 本章小结 | 第59-60页 |
| 5．超深亚微米LDD MOSFET器件制备及模型参数提取 | 第60-82页 |
| 5．1 引言 | 第60页 |
| 5．2 LDD MOSFET管芯的设计制作与性能测试 | 第60-65页 |
| 5．3 模型参数提取方法的改进 | 第65-81页 |
| 5．4 本章小结 | 第81-82页 |
| 6．超深亚微米LDD NMOSFET器件的热载流子效应与可靠性研究 | 第82-117页 |
| 6．1 引言 | 第82-84页 |
| 6．2 超深亚微米LDD NMOSFET器件的HC退化特性研究 | 第84-93页 |
| 6．3 超深亚微米LDD NMOSFET器件的自有退化机理与寿命评估 | 第93-99页 |
| 6．4 超深亚微米LDD MOSFET最坏热载流子应力条件研究 | 第99-108页 |
| 6．5 超深亚微米NMOSFET低工作电压下的碰撞电离机理研究 | 第108-115页 |
| 6．6 本章小结 | 第115-117页 |
| 7．总结 | 第117-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 参考文献 | 第121-134页 |
| 攻读博士学位期间参加的科研项目、完成的学术论文 | 第134-135页 |
