集成电路工艺模拟的设备模型研究
| 摘 要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 引 言 | 第8-15页 |
| ·集成电路的发展 | 第8-9页 |
| ·工艺模拟的发展 | 第9-11页 |
| ·设备在集成电路发展中的作用 | 第11-13页 |
| ·选题与工作 | 第13-15页 |
| 第二章 离子注入设备模型 | 第15-40页 |
| ·离子注入设备 | 第15-20页 |
| ·离子注入机结构 | 第15-18页 |
| ·离子注入技术的发展 | 第18-19页 |
| ·离子注入设备的最新进展 | 第19-20页 |
| ·离子注入理论 | 第20-26页 |
| ·射程理论 | 第21-24页 |
| ·沟道效应 | 第24-26页 |
| ·离子注入工艺模拟设备模型的研究 | 第26-35页 |
| ·内嵌设备模型的离子注入工艺模拟程序 | 第35-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 奇点分裂刻蚀剖面模型及其模拟程序 | 第40-65页 |
| ·刻蚀工艺及设备介绍 | 第40-46页 |
| ·湿法腐蚀 | 第40-41页 |
| ·干法刻蚀原理 | 第41-42页 |
| ·干法刻蚀设备 | 第42-45页 |
| ·干法刻蚀技术及设备的最新进展 | 第45-46页 |
| ·刻蚀形貌的奇点分裂模型 | 第46-51页 |
| ·刻蚀剖面改进模型 | 第51-58页 |
| ·刻蚀实验与模拟结果 | 第58-60页 |
| ·模拟程序介绍 | 第60-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第四章 刻蚀速度均匀性及其测量 | 第65-84页 |
| ·氮化硅刻蚀样品制备与刻蚀均匀性测试 | 第65-76页 |
| ·样品制备 | 第65-66页 |
| ·样品测量 | 第66-73页 |
| ·刻蚀结果分析 | 第73-76页 |
| ·多晶硅刻蚀实验 | 第76-83页 |
| ·样品制备 | 第76-77页 |
| ·样品测量及结果分析 | 第77-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 第五章 干法刻蚀设备的神经网络模型 | 第84-122页 |
| ·建立刻蚀工艺的神经网络理论 | 第84-104页 |
| ·神经网络的历史发展 | 第84-88页 |
| ·神经网络的基本概念 | 第88-89页 |
| ·神经网络的传输函数 | 第89-91页 |
| ·神经网络的学习算法 | 第91-95页 |
| ·神经网络的函数逼近能力 | 第95-97页 |
| ·神经网络隐含层单元数的确定 | 第97-99页 |
| ·学习样本的作用 | 第99-104页 |
| ·刻蚀工艺设备神经网络模型的建立 | 第104-121页 |
| ·matlab软件简介 | 第105-106页 |
| ·刻蚀工艺设备模型网络结构的选择 | 第106-108页 |
| ·神经网络的学习训练 | 第108-119页 |
| ·神经网络对刻蚀工艺的模拟能力 | 第119-121页 |
| ·本章小结 | 第121-122页 |
| 第六章 结论 | 第122-124页 |
| 参考文献 | 第124-131页 |
| 致谢及声明 | 第131-132页 |
| 个人简历、在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第132页 |
