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集成电路缺陷分布模型和容错技术研究

中文摘要第1-5页
英文摘要第5-11页
第一章 绪  论第11-23页
 1.1 集成电路可制造性工程概述第11-13页
 1.2 集成电路制造成品率的研究第13-20页
  1.2.1 集成电路参数成品率的研究第15-17页
  1.2.2 集成电路功能成品率的研究第17-20页
 1.3 本文的主要研究内容和安排第20-23页
第二章 缺陷模型第23-32页
 2.1 缺陷的类型第23-26页
  2.1.1 冗余物缺陷第23-25页
  2.1.2 丢失物缺陷第25-26页
  2.1.3 氧化物针孔缺陷第26页
  2.1.4 结泄漏缺陷第26页
 2.2 模型假设第26-27页
 2.3 缺陷的粒径分布及轮廓模型第27-29页
 2.4 缺陷粒径分布在功能成品率模拟中的应用第29-32页
第三章 缺陷的空间分布第32-51页
 3.1 缺陷的负二项式分布第32-34页
  3.1.1 Poisson分布第32-33页
  3.1.2 复合Poisson分布第33-34页
  3.1.3 负二项式分布第34页
 3.2 缺陷的成团效应及其表征第34-37页
 3.3 划分缺陷团的变尺度聚类算法第37-42页
  3.3.1 缺陷的隶属度及其性质第38-39页
  3.3.2 缺陷团划分有效性的确定第39页
  3.3.3 缺陷团划分的变尺度聚类算法第39-42页
 3.4 硅圆片上缺陷数据采集第42-44页
  3.4.1 硅圆片样本的设计第43-44页
  3.4.2 硅圆片样本数据的处理第44页
 3.5 缺陷的空间位置统计分布规律第44-49页
  3.5.1 缺陷的空间位置规律的统计第44-45页
  3.5.2 缺陷的空间分布参数的检验第45-49页
 3.6 小结第49-51页
第四章 缺陷空间分布的应用第51-60页
 4.1 缺陷的空间分布IC功能成品率模拟中的应用第51-55页
  4.1.1 用于成品率模拟的负二项式分布模型第51-53页
  4.1.2 用于成品率模拟的缺陷空间分布模型第53-55页
 4.2 实验与分析第55-59页
  4.2.1 金属阵列微电子测试图验证第55-56页
  4.2.2 实际IC成品率预测和分析第56-59页
 4.3 小  结第59-60页
第五章 高位存储器的冗余分析第60-91页
 5.1 树形存储器的结构及其概念第60-64页
  5.1.1 传统RAM的缺点第60-61页
  5.1.2 树形RAM的结构第61-63页
  5.1.3 TRAM的布局第63-64页
  5.1.4 TRAM的特点第64页
 5.2 缺陷TRAM的修复及冗余分配算法第64-74页
  5.2.1 缺陷阵列的二分图表示第65-67页
  5.2.2 缺陷RAM的修复第67-68页
  5.2.3 冗余单元分配的神经网络算法第68-74页
 5.3 冗余TRAM的成品率分析第74-82页
  5.3.1 一个模块的成品率模型第75-82页
  5.3.2 冗余TRAM的成品率第82页
 5.4 基于有效面积的成品率综合评价第82-89页
  5.4.1 综合评价指标第83-85页
  5.4.2 实例分析与结论第85-89页
 5.5 小  结第89-91页
第六章 集成电路的多级容错结构的优化分析第91-120页
 6.1 一种有效的容错结构及其成品率分析第91-98页
  6.1.1 容错结构及其重组算法第91-93页
  6.1.2 成品率分析第93-96页
  6.1.3 电路容错设计分析第96-98页
 6.2 阵列处理器的树形容错结构第98-103页
  6.2.1 k-FT树型形结构的可靠性分析第98-100页
  6.2.2. 冗余单元的分配第100-103页
 6.3 分级容错的优化设计第103-111页
  6.3.1 子单元级冗余的优化分析第103-108页
  6.3.2 单元级冗余的优化分析第108-111页
 6.4 VLSI的三维容错结构第111-118页
  6.4.1 3-维阵列中的间隙冗余结构第111-115页
  6.4.2 VLSI芯片成品率的估计第115-118页
 6.5 小结第118-120页
第七章 结束语第120-122页
致  谢第122-123页
参考文献第123-136页
攻读博士学位期间的研究成果第136-137页

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