| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-15页 |
| 1、集成电路的发展现状 | 第8-9页 |
| 2、集成电路的设计流程与互连电路分析的挑战 | 第9页 |
| 3、集成电路互连分析中的模型降阶方法 | 第9-12页 |
| 4、本文的研究内容和主要贡献 | 第12-14页 |
| 5、本文的组织结构 | 第14-15页 |
| 第二章 集成电路分析中的矩匹配模型降阶方法回顾 | 第15-44页 |
| 1、RLC和RCS电路的数学模型 | 第15-18页 |
| ·、RLC电路的数学模型 | 第15-17页 |
| ·、RCS电路的数学模型 | 第17-18页 |
| 2、互连电路系统的稳定性和无源性 | 第18-19页 |
| 3、投影降阶框架 | 第19-20页 |
| 4、RLC电路矩匹配模型降阶方法回顾 | 第20-34页 |
| ·、AWE方法 | 第20-22页 |
| ·、Krylov子空间及Amoldi和Lanczos算法 | 第22-26页 |
| ·、PVL方法 | 第26-29页 |
| ·、PRIMA方法 | 第29-32页 |
| ·、SPRIM方法 | 第32-34页 |
| 5、RCS电路矩匹配模型降阶方法回顾 | 第34-43页 |
| ·、ENOR方法 | 第34-35页 |
| ·、SMOR方法 | 第35-36页 |
| ·、二次Krylov子空间及SAPOR方法 | 第36-43页 |
| 6、矩匹配模型降阶方法小结 | 第43-44页 |
| 第三章 互连电路降阶模型的等效电路生成方法 | 第44-66页 |
| 1、互连电路降阶模型等效电路综合方法的研究背景 | 第44-45页 |
| 2、保持块结构的SPRIM和SAPOR降阶方法及其局限性 | 第45-47页 |
| ·、保持块结构的SPRIM和SAPOR降阶方法 | 第45-46页 |
| ·、SPRIM和SAPOR方法在等效电路综合方面的局限性 | 第46-47页 |
| 3、保持输入输出结构的IOPOR模型降阶方法 | 第47-49页 |
| 4、RLC等效电路综合方法 | 第49-58页 |
| ·、等效电路综合过程 | 第49-52页 |
| ·、保持输入输出特性的对角化技术 | 第52-55页 |
| ·、正则化技术 | 第55-57页 |
| ·、等效电路综合方法小结 | 第57-58页 |
| 5、数值实验结果 | 第58-65页 |
| ·、RC电路降阶模型等效电路综合结果 | 第58-60页 |
| ·、RCS电路降阶模型的RLC等效电路综合结果 | 第60-63页 |
| ·、RLC电路降阶模型的RLC等效电路综合结果 | 第63-65页 |
| 6、本章小结 | 第65-66页 |
| 第四章 具有大量端口互连电路的模型降阶方法 | 第66-89页 |
| 1、具有大量端口互连电路模型降阶方法的研究背景 | 第66-67页 |
| 2、输入相关的矩匹配模型降阶理论 | 第67-71页 |
| 3、输入相关的矩匹配模型降阶方法回顾 | 第71-76页 |
| ·、EKS/IEKS方法回顾 | 第71-74页 |
| ·、线性化方法EXPLIN和SAMSON回顾 | 第74-76页 |
| 4、NHAR方法 | 第76-81页 |
| ·、线性化方法 | 第77-78页 |
| ·、部分正交的Amoldi方法POAR | 第78-80页 |
| ·、降阶系统的稳定性和无源性 | 第80页 |
| ·、NHAR方法小结 | 第80-81页 |
| 5、数值实验结果 | 第81-88页 |
| ·、NHAR与IEKS方法比较 | 第82-83页 |
| ·、NHAR与EXPLIN和SAMSON方法的比较 | 第83-85页 |
| ·、NHAR在处理大规模问题时的性能 | 第85-87页 |
| ·、输入矩的数目对NHAR精度的影响 | 第87-88页 |
| 6、本章小结 | 第88-89页 |
| 第五章 总结与展望 | 第89-91页 |
| 1、全文总结 | 第89-90页 |
| 2、对未来工作的展望 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 攻读博士期间撰写论文 | 第100-101页 |
