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基于NOR LPDDR架构针对用低频测试仪测试高速芯片的DFT设计及实现

摘要第1-5页
Abstract第5-6页
第一章 概述第6-12页
   ·半导体存储器第6-7页
   ·快闪存储器第7-9页
     ·快闪存储器的基本分类第7-8页
     ·快闪存储器的市场及预测第8-9页
   ·DDR和LPDDR接口第9-12页
第二章 用低频仪器测试电路高频信号第12-19页
   ·测试仪器及方法的改变第12-14页
   ·芯片自带DFT的设计第14-19页
     ·业内几种实现方式第14-16页
     ·基于NOR LPDDR闪存的DFT实现架构第16-19页
第三章 电路模块设计第19-34页
   ·可控延迟电路设计第19-25页
     ·延迟链的设计第19-22页
     ·延迟单元的设计第22-24页
     ·D触发器组成的分频电路第24-25页
   ·占空比自调测试电路的设计第25-34页
     ·占空比自调的重要性第26-27页
     ·占空比自调的电路实现第27-31页
     ·占空比自调电路的仿真验证第31-34页
第四章 版图设计第34-44页
   ·顶层版图规划第34-36页
     ·针对划片槽中的版图要求第34页
     ·顶层外接管脚(PAD)的组织第34-36页
   ·可控延迟测试电路的版图设计第36-41页
     ·可控延迟测试电路的布局安排第36-38页
     ·延迟版图单元第38-40页
     ·可控延迟电路的流片版图第40-41页
   ·占空比自调测试电路的版图设计第41-44页
     ·占空比自调测试电路对版图的要求第41-43页
     ·占空比自调测试电路的版图第43-44页
第五章 可控延迟电路的测试分析第44-57页
   ·测试构想及准备工作第44-45页
     ·测试的构想第44页
     ·测试前的准备工作第44-45页
   ·测试数据及结果分析第45-56页
     ·电源电压供给对延迟的影响第45-46页
     ·电容负载对延迟的影响第46-48页
     ·延迟时间芯片测试和方针结果差异分析第48-55页
     ·用分频电路测试延迟时间第55-56页
   ·测试小结第56-57页
第六章 占空比自调电路的测试分析第57-66页
   ·测试构想及准备工作第57页
   ·占空比测试电路的测试数据列表第57-59页
   ·Mosaid本身的特质对测试范围的限制第59-63页
     ·Mosaid在高频下难以提供占空比大幅变化的信号第59-61页
     ·Mosaid在主测频率下,难以提供高电平为2.0v的波形第61-62页
     ·测试温对实际输入占空比变化范围的影响第62-63页
   ·芯片测试图形及测试结果分析第63-65页
     ·示波器的测试图形第63-64页
     ·室温下的测试数据分析第64页
     ·高温下的测试数据分析第64-65页
   ·测试小结第65-66页
第七章 总结第66-67页
参考文献第67-68页
致谢第68-69页

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