柔性硅基MOS电容制备及特性研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 引言 | 第16-17页 |
| 1.2 课题的研究目的和意义 | 第17-19页 |
| 1.3 国内外研究概况 | 第19-21页 |
| 1.4 论文的主要研究内容与结构安排 | 第21-24页 |
| 第二章 柔性MOS电容特性的基础理论 | 第24-38页 |
| 2.1 MOS电容的电学特性 | 第24-27页 |
| 2.1.1 MOS电容结构 | 第24-25页 |
| 2.1.2 MOS电容的理想C-V特性 | 第25-27页 |
| 2.2 MOS系统中的电荷组成及表征 | 第27-33页 |
| 2.2.1 MOS系统中的电荷组成 | 第27-30页 |
| 2.2.2 界面陷阱电荷密度的计算 | 第30-32页 |
| 2.2.3 提取硅基MOS电容的电学参数 | 第32-33页 |
| 2.3 转印理论 | 第33-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 柔性硅基电容制备的关键工艺 | 第38-50页 |
| 3.1 基于柔性衬底MOS电容的版图设计 | 第38-39页 |
| 3.2 实验具体流程 | 第39-42页 |
| 3.3 功能薄膜层的制作 | 第42-45页 |
| 3.3.1 刻蚀孔干法刻蚀工艺 | 第42-43页 |
| 3.3.2 牺牲层湿法刻蚀 | 第43-45页 |
| 3.3.3 转印方法及优化设计 | 第45页 |
| 3.4 AFM、SEM及椭偏仪测试 | 第45-49页 |
| 3.4.1 原子力显微镜测试 | 第45-47页 |
| 3.4.2 扫描电子显微镜测试 | 第47-48页 |
| 3.4.3 椭偏仪测试 | 第48-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 硅基MOS电容的电容特性研究 | 第50-64页 |
| 4.1 C-V测试及结果分析 | 第50-61页 |
| 4.1.1 汞探针C-V测外延掺杂浓度 | 第50-51页 |
| 4.1.2 平整状态下的硅基柔性电容特性分析 | 第51-54页 |
| 4.1.3 弯曲状态下的硅基柔性电容 | 第54-61页 |
| 4.2 I-V测试及结果分析 | 第61-62页 |
| 4.3 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 总结和展望 | 第64-66页 |
| 5.1 总结 | 第64-65页 |
| 5.2 展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 作者简介 | 第72-73页 |
