| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第17-18页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第18-23页 |
| 1.3 论文主要研究内容及安排 | 第23-25页 |
| 第二章 HPM效应理论及有限元仿真概述 | 第25-33页 |
| 2.1 高功率微波技术 | 第25-30页 |
| 2.1.2 高功率微波源及产生技术 | 第25-28页 |
| 2.1.3 高功率微波的发射及传输 | 第28-29页 |
| 2.1.4 高功率微波效应 | 第29-30页 |
| 2.2 有限元仿真 | 第30-32页 |
| 2.2.1 有限元仿真理论 | 第30-31页 |
| 2.2.2 有限元仿真软件 | 第31页 |
| 2.2.3 有限元计算方法在半导体模块的应用 | 第31-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 MESFET和HEMT器件HPM损伤模型构建 | 第33-51页 |
| 3.1 MESFET和HEMT器件的HPM仿真模型构建 | 第33-45页 |
| 3.1.1 有限元建模 | 第33-35页 |
| 3.1.2 多物理场耦合 | 第35-37页 |
| 3.1.3 数值计算模型 | 第37-44页 |
| 3.1.4 HPM信号模型 | 第44-45页 |
| 3.2 器件的HPM传热模型构建 | 第45-49页 |
| 3.2.1 COMSOL中固体传热模型 | 第46页 |
| 3.2.2 热传导方程的线性化 | 第46-47页 |
| 3.2.3 等效热路模型 | 第47-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 GaAs MESFET器件的HPM电热损伤效应研究 | 第51-67页 |
| 4.1 GaAs MESFET器件结构和工作原理 | 第51-53页 |
| 4.2 脉冲注入的瞬态响应分析 | 第53-55页 |
| 4.2.1 单周期信号下器件内部热变化 | 第53-54页 |
| 4.2.2 多周期信号下器件内部热变化 | 第54-55页 |
| 4.3 HPM作用下的MESFET的响应 | 第55-59页 |
| 4.3.1 HPM作用下的MESFET内部电学特性分析 | 第56-57页 |
| 4.3.2 HPM作用下的MESFET内部温度分析 | 第57-59页 |
| 4.4 信号参数对HPM电热效应的影响 | 第59-63页 |
| 4.4.1 电压幅值对HPM效应的影响 | 第59-60页 |
| 4.4.2 脉宽和重频对HPM效应的影响 | 第60-63页 |
| 4.5 器件参数对HPM电热效应的影响 | 第63-66页 |
| 4.5.1 器件栅长对HPM电热效应的影响 | 第64-65页 |
| 4.5.2 器件掺杂对HPM电热效应的影响 | 第65-66页 |
| 4.6 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 GaAs HEMT器件的高功率微波损伤效应机理 | 第67-83页 |
| 5.1 GaAs HEMT器件结构和工作原理 | 第67-70页 |
| 5.2 HPM作用下仿真结果分析 | 第70-73页 |
| 5.2.1 HPM作用下的HEMT内部温度变化 | 第71-72页 |
| 5.2.2 HPM作用下的HEMT器件损伤机理分析 | 第72-73页 |
| 5.3 GaAs HEMT的HPM效应实验 | 第73-74页 |
| 5.3.1 HPM效应试验方案 | 第73-74页 |
| 5.3.2 HPM效应试验结果分析 | 第74页 |
| 5.4 器件的抗HPM优化 | 第74-82页 |
| 5.4.1 HEMT器件的热抗和热阻 | 第75页 |
| 5.4.2 HEMT热阻的数学解析 | 第75-80页 |
| 5.4.3 器件抗HPM结构优化方法及验证 | 第80-82页 |
| 5.5 本章小结 | 第82-83页 |
| 第六章 总结与展望 | 第83-85页 |
| 6.1 全文总结 | 第83-84页 |
| 6.2 研究展望 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-91页 |
| 致谢 | 第91-93页 |
| 作者简介 | 第93-94页 |
