| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第14-16页 |
| 缩略语对照表 | 第16-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-31页 |
| 1.1 高速电路发展趋势及面临的挑战 | 第21-22页 |
| 1.2 电源完整性分析与设计 | 第22-24页 |
| 1.3 高速电路系统建模方法 | 第24-26页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第26-29页 |
| 1.5 本论文内容及章节结构 | 第29-31页 |
| 第二章 电源地平面建模计算方法概述 | 第31-45页 |
| 2.1 引言 | 第31页 |
| 2.2 传输矩阵法 | 第31-34页 |
| 2.3 有限差分法 | 第34-38页 |
| 2.3.1 单层平面对结构 | 第34-36页 |
| 2.3.2 多层平面对结构 | 第36-38页 |
| 2.4 有限元法 | 第38-40页 |
| 2.5 谐振腔法 | 第40-43页 |
| 2.6 本章小结 | 第43-45页 |
| 第三章 基于谐振腔算法的带电容电源地平面建模方法 | 第45-73页 |
| 3.1 引言 | 第45页 |
| 3.2 矩阵计算法 | 第45-48页 |
| 3.3 带电容电源地平面建模方法 | 第48-58页 |
| 3.3.1 去耦电容的分割 | 第48-49页 |
| 3.3.2 求解去耦电容的分割部分 | 第49-54页 |
| 3.3.3 仿真验证 | 第54-58页 |
| 3.4 带电容电源地平面建模方法的快速算法 | 第58-62页 |
| 3.4.1 电感近似快速算法 | 第58-59页 |
| 3.4.2 双频点近似快速算法 | 第59-61页 |
| 3.4.3 仿真验证 | 第61-62页 |
| 3.5 带电容的不规则形状电源地平面建模方法 | 第62-72页 |
| 3.5.1 分割法 | 第63-64页 |
| 3.5.2 反向补偿法 | 第64-68页 |
| 3.5.3 仿真验证 | 第68-72页 |
| 3.6 本章小结 | 第72-73页 |
| 第四章 基于谐振腔算法的多层电源地平面建模方法 | 第73-91页 |
| 4.1 引言 | 第73-74页 |
| 4.2 多层电源地平面结构的等效模型 | 第74-77页 |
| 4.3 带多端口负载电源地平面结构的建模方法 | 第77-81页 |
| 4.4 多层电源地平面结构建模方法的验证 | 第81-83页 |
| 4.5 多层电源地平面结构中信号过孔的优化设计 | 第83-89页 |
| 4.6 本章小结 | 第89-91页 |
| 第五章 封装级去耦电容去耦半径的计算方法 | 第91-107页 |
| 5.1 引言 | 第91-92页 |
| 5.2 去耦电容位置的影响 | 第92-93页 |
| 5.3 去耦电容的有效去耦半径 | 第93-102页 |
| 5.3.1 基于亥姆霍兹方程的去耦半径计算方法 | 第93-95页 |
| 5.3.2 基于电源地平面阻抗分布的去耦半径计算方法 | 第95-98页 |
| 5.3.3 去耦半径的影响因素 | 第98-99页 |
| 5.3.4 去耦半径的时域验证 | 第99-102页 |
| 5.4 基于去耦半径的去耦设计方法 | 第102-105页 |
| 5.5 本章小结 | 第105-107页 |
| 第六章 芯片级去耦电容去耦半径的计算方法 | 第107-127页 |
| 6.1 引言 | 第107-108页 |
| 6.2 片上电源分配网络的等效模型 | 第108-110页 |
| 6.3 预估所需的去耦电容量 | 第110-114页 |
| 6.4 一维RL等效模型中去耦电容的充放电半径 | 第114-120页 |
| 6.4.1 去耦电容的充电半径 | 第115-118页 |
| 6.4.2 去耦电容的放电半径 | 第118-120页 |
| 6.5 二维RL等效模型中去耦电容的充放电半径 | 第120-125页 |
| 6.5.1 去耦电容的充电半径 | 第120-123页 |
| 6.5.2 去耦电容的放电半径 | 第123-125页 |
| 6.6 本章小结 | 第125-127页 |
| 第七章 总结与展望 | 第127-129页 |
| 7.1 研究成果总结 | 第127-128页 |
| 7.2 高速系统建模及去耦设计的展望 | 第128-129页 |
| 参考文献 | 第129-141页 |
| 致谢 | 第141-143页 |
| 作者简介 | 第143-145页 |