| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·碳化硅材料的特性 | 第7-9页 |
| ·碳化硅PiN 二极管的应用及其研究现状 | 第9-12页 |
| ·本文的主要工作 | 第12-13页 |
| 第二章 碳化硅PiN 二极管的工作机理及材料模型参数 | 第13-25页 |
| ·碳化硅PiN 二极管直流伏安特性 | 第13-19页 |
| ·碳化硅PiN 二极管的正向电流特性 | 第13-14页 |
| ·碳化硅PiN 二极管的正向电压特性 | 第14-15页 |
| ·碳化硅PiN 二极管的反向电流特性 | 第15页 |
| ·碳化硅PiN 二极管的反向击穿机制 | 第15-19页 |
| ·计算机模拟中碳化硅材料的模型与参数 | 第19-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 碳化硅PiN 二极管直流特性的模拟研究 | 第25-39页 |
| ·碳化硅PiN 二极管伏安特性的模拟 | 第25-34页 |
| ·数值模拟计算方法 | 第25-28页 |
| ·碳化硅PiN 二极管直流正向特性的模拟 | 第28-31页 |
| ·碳化硅PiN 二极管直流反向特性的模拟 | 第31-34页 |
| ·碳化硅PiN 二极管开关温度特性的模拟 | 第34-37页 |
| ·碳化硅PiN 二极管的开关工作原理 | 第34-35页 |
| ·碳化硅PiN 二极管开关特性的温度影响 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 结终端技术改善碳化硅PiN 二极管反向特性的研究 | 第39-63页 |
| ·单一平面结终端技术的介绍 | 第39-45页 |
| ·影响击穿电压的因素 | 第39-42页 |
| ·平面结终端技术的原理 | 第42-45页 |
| ·结终端技术对碳化硅PiN 二极管反向特性的改善 | 第45-51页 |
| ·场板（FP）技术改善碳化硅PiN 二极管的反向特性 | 第45-47页 |
| ·场限环（FLR）技术改善碳化硅PiN 二极管的反向特性 | 第47-49页 |
| ·结终端扩展（JTE）技术改善碳化硅PiN 二极管的反向特性 | 第49-51页 |
| ·复合平面结终端技术 | 第51-62页 |
| ·场限环辅助场板技术改善碳化硅PiN 二极管的反向特性 | 第52-53页 |
| ·场板辅助结终端扩展技术改善PiN 二极管的反向特性 | 第53-58页 |
| ·特殊复合结终端技术改善碳化硅PiN 二极管的反向特性 | 第58-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 研究成果 | 第71-72页 |
