| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·碳化硅材料优势 | 第8-9页 |
| ·碳化硅大功率肖特基二极管的研究现状 | 第9-11页 |
| ·电场集中效应和结终端技术 | 第11-16页 |
| ·结边缘的电场集中效应 | 第11-12页 |
| ·结终端技术 | 第12-16页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第16-18页 |
| 第二章 4H-SiC 材料参数及物理模型 | 第18-28页 |
| ·DESSIS 仿真中4H-SiC 材料参数及物理模型 | 第18-22页 |
| ·DESSIS 仿真工具及求解的基本方程 | 第18-19页 |
| ·4H-SiC 物理模型和材料参数的选取 | 第19-22页 |
| ·4H-SiC 功率器件的设计要点 | 第22-26页 |
| ·4H-SiC 临界击穿电场 | 第22页 |
| ·非穿通结构的漂移区的设计 | 第22-24页 |
| ·穿通结构的漂移区的设计 | 第24-26页 |
| ·本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章JTE 结构4H-SiC SBD 击穿特性 | 第28-42页 |
| ·JTE 结构的4H-SiC SBD 的击穿特性模拟 | 第28-34页 |
| ·器件结构及参数 | 第28-30页 |
| ·各种参数对击穿特性的影响 | 第30-34页 |
| ·JTE 结构4H-SiC SBD 表面场解析模型 | 第34-41页 |
| ·二维表面场解析模型求解 | 第35-37页 |
| ·表面场解析模型结果分析与讨论 | 第37-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 高压4H-SiC 功率SBD 工艺实验研究 | 第42-48页 |
| ·实验材料及4H-SiC SBD 的关键工艺 | 第42-44页 |
| ·实验材料 | 第42-43页 |
| ·4H-SiC SBD 关键工艺 | 第43-44页 |
| ·版图设计及工艺步骤 | 第44-47页 |
| ·4H-SiC SBD 版图设计 | 第44-45页 |
| ·主要的工艺流程 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 研究总结 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 攻读硕士学位期间参加的科研项目及完成的学术论文 | 第56-58页 |
