| 摘要 | 第12-15页 |
| ABSTRACT | 第15-17页 |
| 第一章 绪论 | 第18-44页 |
| 1.1 引言 | 第18-19页 |
| 1.2 GaN的晶体结构 | 第19-21页 |
| 1.3 GaN单晶的基本性质 | 第21页 |
| 1.4 GaN单晶的结构缺陷 | 第21-24页 |
| 1.4.1 GaN单晶中的点缺陷 | 第22-23页 |
| 1.4.2 GaN单晶中的线缺陷 | 第23页 |
| 1.4.3 GaN单晶中的面缺陷 | 第23页 |
| 1.4.4 GaN单晶中的体缺陷 | 第23-24页 |
| 1.5 GaN单晶的生长方法 | 第24-31页 |
| 1.5.1 高压溶液法生长GaN单晶 | 第24-25页 |
| 1.5.2 低压溶液法/Na助熔剂法生长GaN单晶 | 第25-26页 |
| 1.5.3 氨热法生长GaN单晶 | 第26页 |
| 1.5.4 氢化物气相外延法生长GaN单晶 | 第26-31页 |
| 1.6 GaN单晶结构与性质分析方法 | 第31-36页 |
| 1.6.1 GaN单晶的结构分析方法 | 第32-33页 |
| 1.6.2 GaN单晶的光学性质分析方法 | 第33-34页 |
| 1.6.3 GaN单晶的形貌分析方法 | 第34-35页 |
| 1.6.4 GaN单晶的电学性质分析方法 | 第35-36页 |
| 1.6.5 GaN单晶的杂质分析方法 | 第36页 |
| 1.7 GaN单晶展望 | 第36-37页 |
| 1.8 选题依据和主要研究内容 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-44页 |
| 第二章 Ⅴ/Ⅲ对GaN晶体质量和光电性质的影响 | 第44-63页 |
| 2.1 蓝宝石衬底简介 | 第44-45页 |
| 2.2 不同Ⅴ/Ⅲ生长GaN单晶 | 第45-47页 |
| 2.3 Ⅴ/Ⅲ对GaN单晶宏观形貌的影响 | 第47-48页 |
| 2.4 Ⅴ/Ⅲ对GaN单晶结构的影响 | 第48-56页 |
| 2.4.1 Ⅴ/Ⅲ对GaN单晶位错密度的影响 | 第48-49页 |
| 2.4.2 Ⅴ/Ⅲ对GaN单晶残余应力的影响 | 第49-51页 |
| 2.4.3 Ⅴ/Ⅲ对GaN单晶晶体取向分布的影响 | 第51-53页 |
| 2.4.4 Ⅴ/Ⅲ对GaN单晶杂质含量的影响 | 第53-56页 |
| 2.5 Ⅴ/Ⅲ对GaN单晶光电性质的影响 | 第56-59页 |
| 2.5.1 Ⅴ/Ⅲ对GaN单晶电学性质的影响 | 第56-58页 |
| 2.5.2 Ⅴ/Ⅲ对GaN单晶光学性质的影响 | 第58-59页 |
| 2.6 本章小结 | 第59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 第三章 采用低温缓冲层技术生长自支撑GaN单晶 | 第63-81页 |
| 3.1 自剥离机理 | 第63-65页 |
| 3.2 不同缓冲层处理工艺生长GaN单晶 | 第65页 |
| 3.3 低温缓冲层表面形貌 | 第65-66页 |
| 3.4 缓冲层结构对HT-GaN的影响 | 第66-78页 |
| 3.4.1 缓冲层结构对HT-GaN形貌的影响 | 第67-69页 |
| 3.4.2 缓冲层结构对HT-GaN晶体质量的影响 | 第69-71页 |
| 3.4.3 缓冲层结构对HT-GaN残余应力的影响 | 第71-72页 |
| 3.4.4 缓冲层结构对HT-GaN表面的晶体质量和晶体取向分布的影响 | 第72-75页 |
| 3.4.5 缓冲层结构对HT-GaN光学性质的影响 | 第75-76页 |
| 3.4.6 缓冲层的作用分析 | 第76-78页 |
| 3.5 本章小结 | 第78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 第四章 在SiC的C面直接生长自支撑GaN单晶 | 第81-100页 |
| 4.1 SiC衬底简介 | 第81-82页 |
| 4.2 SiC的C面上生长GaN单晶 | 第82-84页 |
| 4.3 低温缓冲层的形貌和性质 | 第84-87页 |
| 4.3.1 低温缓冲层退火前形貌对比 | 第84-85页 |
| 4.3.2 低温缓冲层退火后形貌对比 | 第85-86页 |
| 4.3.3 适合单晶生长和自剥离的低温缓冲层研究 | 第86-87页 |
| 4.4 SiC的C面生长HT-GaN | 第87-91页 |
| 4.4.1 无缓冲层直接生长HT-GaN | 第87-88页 |
| 4.4.2 不进行缓冲层退火生长HT-GaN | 第88-89页 |
| 4.4.3 不同生长时间的缓冲层对HT-GaN的影响 | 第89-90页 |
| 4.4.4 Ⅴ/Ⅲ对HT-GaN的影响 | 第90-91页 |
| 4.5 自支撑GaN单晶的性质研究 | 第91-96页 |
| 4.5.1 自支撑GaN单晶的极性 | 第91-92页 |
| 4.5.2 自支撑GaN单晶的晶体质量 | 第92-93页 |
| 4.5.3 自支撑GaN单晶的残余应力 | 第93-94页 |
| 4.5.4 自支撑GaN单晶的晶体取向分布规律 | 第94-95页 |
| 4.5.5 自支撑GaN的光学性质 | 第95-96页 |
| 4.6 GaN单晶自剥离机理 | 第96-97页 |
| 4.7 本章小结 | 第97页 |
| 参考文献 | 第97-100页 |
| 第五章 高温退火法表征GaN中的位错 | 第100-112页 |
| 5.1 高温退火法表征位错的机理 | 第100-102页 |
| 5.2 高温退火法表征位错 | 第102页 |
| 5.3 高温退火衬底表面形貌 | 第102-104页 |
| 5.4 不同位错表征方法对比 | 第104-106页 |
| 5.4.1 熔融碱腐蚀法表征位错 | 第104-106页 |
| 5.4.2 CL表征位错 | 第106页 |
| 5.5 高温退火坑对应的位错类型 | 第106-108页 |
| 5.6 本章小结 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-112页 |
| 第六章 总结与展望 | 第112-115页 |
| 6.1 总结 | 第112-113页 |
| 6.2 主要创新点 | 第113-114页 |
| 6.3 有待解决的问题和展望 | 第114-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文、专利和奖励 | 第116-119页 |
| 附：已发表论文 | 第119-120页 |
| 附件 | 第120页 |
