| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-25页 |
| 1.1 三维集成电路发展的现状 | 第15-20页 |
| 1.1.1 三维集成电路发展背景 | 第15-16页 |
| 1.1.2 三维集成电路的实现方式 | 第16-18页 |
| 1.1.3 硅通孔（TSV）技术 | 第18-20页 |
| 1.2 TSV技术发展现状及面临的挑战 | 第20-22页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第22-25页 |
| 第二章 TSV-衬底参数表征 | 第25-39页 |
| 2.1 硅通孔（TSV）类型 | 第25-26页 |
| 2.2 TSV-衬底电学参数表征 | 第26-30页 |
| 2.2.1 TSV寄生电阻和寄生电感表征 | 第26-28页 |
| 2.2.2 TSV寄生电容表征 | 第28-30页 |
| 2.2.4 衬底寄生参数表征 | 第30页 |
| 2.3 TSV等效电路模型 | 第30-34页 |
| 2.3.1 TSV-衬底简单模型 | 第30-31页 |
| 2.3.2 TSV-衬底RC单元集总模型 | 第31-33页 |
| 2.3.3 TSV-衬底的 3D-TLM单元集总模型 | 第33-34页 |
| 2.4 基于RC模型的TSV-衬底噪声耦合优化 | 第34-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 第三章 TSV结构参数对噪声耦合的影响 | 第39-51页 |
| 3.1 TSV-衬底噪声耦合机理 | 第39-40页 |
| 3.2 TSV结构参数对噪声耦合的影响 | 第40-45页 |
| 3.2.1 TSV氧化层厚度Tox | 第41-42页 |
| 3.2.2 TSV高度HTSV | 第42-43页 |
| 3.2.3 TSV直径WTSV | 第43-44页 |
| 3.2.4 TSV到器件MOSFET的距离D | 第44-45页 |
| 3.3 TSV非理想结构 | 第45-47页 |
| 3.4 信号频率与翻转时间 | 第47-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 衬底特性分析 | 第51-59页 |
| 4.1 衬底结构 | 第51-52页 |
| 4.2 衬底掺杂 | 第52页 |
| 4.3 MOSFET对噪声耦合的影响 | 第52-54页 |
| 4.3.1 不同特征尺寸的MOSFET | 第52-53页 |
| 4.3.2 MOSFET漏极偏压 | 第53-54页 |
| 4.4 衬底噪声KOZ的确定 | 第54-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 TSV噪声耦合对MOSFET的作用及抑制方法 | 第59-71页 |
| 5.1 噪声耦合效应对MOSFET的影响 | 第59-63页 |
| 5.1.1 阈值电压 | 第59-60页 |
| 5.1.2 饱和电流 | 第60-61页 |
| 5.1.3 MOSFET电路 | 第61-63页 |
| 5.2 噪声耦合抑制技术及分析 | 第63-68页 |
| 5.2.1 接地接触孔 | 第64-65页 |
| 5.2.2 同轴TSV(Coaxial TSV) | 第65-66页 |
| 5.2.3 防护环（Guard ring） | 第66-67页 |
| 5.2.4 屏蔽TSV（Shielding TSV） | 第67-68页 |
| 5.3 本章小结 | 第68-71页 |
| 第六章 结论与展望 | 第71-75页 |
| 6.1 研究结论 | 第71-72页 |
| 6.2 研究展望 | 第72-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 作者简介 | 第81-82页 |
