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宇航数字电路辐射综合效应时序性能退化分析

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
符号对照表第11-12页
缩略语对照表第12-15页
第一章 绪论第15-23页
    1.1 研究背景及意义第15页
    1.2 集成电路可靠性第15-20页
        1.2.1 经时击穿效应概述第16-17页
        1.2.2 引线电迁移效应概述第17页
        1.2.3 负偏压温度不稳定性效应概述第17-19页
        1.2.4 热载流子注入效应概述第19-20页
        1.2.5 总剂量电离辐射效应概述第20页
    1.3 数字电路可靠性研究现状第20-21页
    1.4 论文内容安排第21-23页
第二章 可靠性物理器件级模型第23-39页
    2.1 NBTI效应模型第23-30页
        2.1.1 反应-扩散模型第23-24页
        2.1.2 俘获-脱阱模型第24-26页
        2.1.3 动态NBTI模型第26-28页
        2.1.4 长期动态模型第28-30页
    2.2 CHC效应模型第30-31页
    2.3 TID效应模型第31-34页
        2.3.1 宇航环境抗辐射指标第31-32页
        2.3.2 TID效应第32-33页
        2.3.3 MOSFET的V_(th)漂移第33-34页
    2.4 NMOS的CHC与TID综合效应第34-38页
        2.4.1 实验条件第34页
        2.4.2 实验结果第34-36页
        2.4.3 拟合长期动态模型第36页
        2.4.4 实验机理第36-38页
    2.5 本章小结第38-39页
第三章 数字电路可靠性设计流程第39-51页
    3.1 分析对象与设计流程第39-40页
    3.2 逻辑综合第40-46页
    3.3 布局布线第46-49页
    3.4 本章小结第49-51页
第四章 老化时序分析第51-71页
    4.1 输入信号占空比 α 与△V_(th)关系第51-52页
    4.2 信号占空比 α 与延时的关系第52-59页
        4.2.1 反相器第52-54页
        4.2.2 两输入与非门第54-56页
        4.2.3 两输入或非门第56-59页
    4.3 时钟缓冲器第59-63页
    4.4 关键路径中的标准单元第63-67页
        4.4.1 CLKNUHDV第64-65页
        4.4.2 AND2UHDV1第65-66页
        4.4.3 AO222UHDV0P4第66-67页
        4.4.4 AD1UHDV1第67页
    4.5 老化时序分析第67-68页
    4.6 本章小结第68-71页
第五章 总结与展望第71-73页
    5.1 论文总结第71页
    5.2 工作展望第71-73页
参考文献第73-77页
致谢第77-79页
作者简介第79-80页

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