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氧化钴半导体气敏传感器的制备及其气敏性能的研究

摘要第5-7页
abstract第7-8页
第一章 绪论第12-22页
    1.1 引言第12-13页
    1.2 半导体气敏传感器第13-15页
        1.2.1 气敏传感器的研究意义第13页
        1.2.2 半导体气敏传感器的分类第13-14页
        1.2.3 半导体气敏传感器的性能指标第14-15页
    1.3 基于氧化钴半导体纳米材料的气敏传感器第15-20页
        1.3.1 纳米半导体的简介第15-16页
        1.3.2 氧化钴纳米材料的性质和应用第16-17页
        1.3.3 氧化钴纳米半导体气敏传感器的研究现状第17-19页
        1.3.4 氧化钴纳米半导体气敏传感器的不足和改进手段第19-20页
    1.4 本论文的研究意义和研究内容第20-22页
第二章 实验部分第22-27页
    2.1 实验试剂第22-23页
    2.2 实验仪器第23页
    2.3 材料的表征第23-24页
        2.3.1 X射线衍射(XRD)第24页
        2.3.2 透射电子显微镜(TEM)第24页
        2.3.3 扫描电子显微镜(SEM)第24页
        2.3.4 X射线电子能谱(XPS)第24页
    2.4 气敏传感器的设计第24-25页
    2.5 气敏检测系统和测试方法第25-27页
第三章 基于Co_3O_4纳米颗粒的NH3传感器制备及性能研究第27-38页
    3.1 引言第27页
    3.2 Co_3O_4纳米颗粒的制备过程第27-28页
        3.2.1 实验试剂和材料第27页
        3.2.2 实验过程第27-28页
    3.3 表征分析结果第28-31页
        3.3.1 XRD表征第28-29页
        3.3.2 SEM表征第29-30页
        3.3.3 TEM表征第30页
        3.3.4 光学带隙分析第30-31页
    3.4 基于Co_3O_4纳米颗粒的气敏传感器的性能研究第31-36页
        3.4.1 气敏元件的设计第31-32页
        3.4.2 电学测试结果第32-33页
        3.4.3 常温下传感器的响应-恢复情况第33-34页
        3.4.4 研究气敏元件响应-恢复时间第34-35页
        3.4.5 研究气敏元件重复性和稳定性第35-36页
    3.5 气敏反应机理分析第36-37页
    3.6 本章小结第37-38页
第四章 Co_3O_4纳米片阵列的制备及其在室温下气敏性能的研究第38-51页
    4.1 引言第38页
    4.2 Co_3O_4纳米片阵列的制备过程第38-39页
        4.2.1 实验试剂和材料第38页
        4.2.2 制备过程第38-39页
    4.3 Co_3O_4纳米片阵列物相结构和形貌表征第39-43页
        4.3.1 材料物相结构表征第39-40页
        4.3.2 SEM形貌表征第40页
        4.3.3 TEM表征第40-41页
        4.3.4 Co_3O_4纳米片孔径分析第41-42页
        4.3.5 元素分析第42页
        4.3.6 光学带隙分析第42-43页
    4.4 Co_3O_4纳米片的形成机理第43-44页
    4.5 气敏材料的伏安特性曲线第44页
    4.6 在常温下对元件进行气敏测试第44-48页
        4.6.1 研究气敏元件常温下的响应恢复情况第45页
        4.6.2 研究气敏元件响应-恢复时间第45-46页
        4.6.3 研究气敏元件重复性和长期稳定性第46-47页
        4.6.4 研究气敏元件选择性第47-48页
    4.7 气敏反应机理分析第48-50页
    4.8 本章小结第50-51页
第五章 Cu掺杂的Co_3O_4纳米片的制备及其气敏性能的研究第51-62页
    5.1 引言第51页
    5.2 制备过程第51页
        5.2.1 实验使用试剂第51页
        5.2.2 材料合成过程第51页
    5.3 材料表征第51-55页
        5.3.1 XRD表征第51-53页
        5.3.2 形貌表征第53-54页
        5.3.3 EDS分析第54-55页
        5.3.4 光学带隙分析第55页
    5.4 Cu掺杂的Co_3O_4纳米片的气敏性能测试第55-60页
        5.4.1 在不同工作温度下的伏安特性曲线第55-56页
        5.4.2 不同工作温度下的响应度和响应-恢复情况第56-57页
        5.4.3 最佳工作温度下传感器的响应-恢复情况第57-58页
        5.4.4 检测传感器的重复性和长期稳定性第58-60页
        5.4.5 传感器的选择性第60页
    5.5 本章小结第60-62页
第六章 总结与展望第62-64页
    6.1 全文总结第62-63页
    6.2 后续工作展望第63-64页
致谢第64-65页
参考文献第65-71页
攻读硕士学位期间发表论文及奖励情况第71-72页
    (I) 攻读硕士学位期间发表论文第71页
    (II) 获得奖励第71-72页

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