首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--基本电子电路论文--振荡技术、振荡器论文--振荡器论文

S波段同轴相对论扩展互作用腔振荡器设计

摘要第5-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第10-19页
    1.1 高功率微波源概述第10-11页
    1.2 渡越时间效应器件发展现状第11-16页
    1.3 渡越时间振荡器工作原理第16-17页
    1.4 课题研究意义第17页
    1.5 本文研究内容第17-19页
第二章 同轴相对论扩展互作用腔振荡器线性理论第19-35页
    2.1 同轴漂移管中的空间电荷限制流第19-22页
    2.2 同轴漂移管中电子束传输时的引导磁场第22页
    2.3 同轴结构单腔线性理论第22-28页
        2.3.1 电子实际渡越时间第24-25页
        2.3.2 电子离开单腔间隙时的速度及动能第25-26页
        2.3.3 电子束获得功率第26-27页
        2.3.4 单间隙负载电导第27页
        2.3.5 束波互作用功率转换效率第27-28页
    2.4 同轴结构两腔线性理论第28-34页
        2.4.1 电子在两腔间隙中的实际渡越时间第28-30页
        2.4.2 电子离开两腔间隙时的速度与动能第30-32页
        2.4.3 电子束得到的功率第32-33页
        2.4.4 同轴两腔结构的电子负载电导第33-34页
    2.5 本章小结第34-35页
第三章 同轴相对论扩展互作用腔振荡器物理设计第35-43页
    3.1 整体设计考虑第35页
    3.2 主要性能指标第35-36页
        3.2.1 输出功率第35-36页
        3.2.2 输出微波频率第36页
        3.2.3 输出效率第36页
    3.3 电子束参量第36-38页
        3.3.1 电子束功率第36-37页
        3.3.2 导流系数,电子束电压与电流第37页
        3.3.3 电子束半径第37-38页
    3.4 引导磁场第38页
    3.5 漂移管参量的选择第38-39页
        3.5.1 漂移管半径第38页
        3.5.2 漂移管长度第38-39页
    3.6 电子束与高频场的互作用参量第39-40页
        3.6.1 耦合系数第39-40页
        3.6.2 电子负载第40页
    3.7 谐振腔参量的选择第40-42页
        3.7.1 调制腔类型第40-41页
        3.7.2 间隙距离第41-42页
        3.7.3 输出腔第42页
    3.8 本章小结第42-43页
第四章 同轴高频系统的设计与分析第43-56页
    4.1 调制腔模型第43-52页
        4.1.1 调制腔模型设计第43-45页
        4.1.2 调制腔模式分析第45-48页
        4.1.3 腔体尺寸的变化对调制腔高频特性的影响第48-52页
    4.2 输出腔模型设计与分析第52-55页
    4.3 本章小结第55-56页
第五章 同轴相对论扩展互作用腔振荡器粒子模拟分析第56-68页
    5.1 调制腔粒子模拟第56-59页
    5.2 输出腔粒子模拟第59-62页
    5.3 整管粒子模拟第62-67页
    5.4 本章小结第67-68页
第六章 总结与展望第68-70页
    6.1 全文总结第68页
    6.2 后续工作展望第68-70页
致谢第70-71页
参考文献第71-74页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第74-75页

论文共75页,点击 下载论文
上一篇:基于FPGA的高速串行数据采集及恢复技术研究
下一篇:GaN基凹槽栅MOSFET器件设计与制备技术研究