| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-18页 |
| ·研究背景 | 第12-14页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·发展现状 | 第13-14页 |
| ·应用 | 第14-15页 |
| ·研究目标 | 第15-16页 |
| ·论文构成 | 第16-18页 |
| 第2章 多层膜的基本理论 | 第18-30页 |
| ·光学薄膜的特性计算 | 第18-21页 |
| ·单层减反膜 | 第21-23页 |
| ·多层高反膜 | 第23-24页 |
| ·极紫外多层膜材料的光学常数 | 第24-25页 |
| ·极紫外多层膜的反射率 | 第25-27页 |
| ·极紫外多层膜的选材原则 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 极紫外多层膜的膜系设计 | 第30-38页 |
| ·设计目标 | 第30-33页 |
| ·基片的选择 | 第33-34页 |
| ·薄膜材料的选择 | 第34页 |
| ·膜系设计 | 第34-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 制备及检测设备简介 | 第38-46页 |
| ·磁控溅射设备 | 第38-40页 |
| ·X射线衍射仪 | 第40-42页 |
| ·椭偏仪 | 第42-44页 |
| ·UV/VUV分光光度计 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第5章 极紫外多层膜的制备 | 第46-56页 |
| ·影响工艺的因素 | 第46-48页 |
| ·多层膜的制备过程 | 第48-49页 |
| ·基片及溅射设备的清洗 | 第48页 |
| ·真空条件的实现 | 第48页 |
| ·溅射过程 | 第48-49页 |
| ·样品的取出 | 第49页 |
| ·溅射速率的标定 | 第49-53页 |
| ·Mo薄膜溅射速率的标定 | 第50-51页 |
| ·Si薄膜溅射速率的标定 | 第51-52页 |
| ·SiC薄膜溅射速率的标定 | 第52-53页 |
| ·SiC薄膜光学常数的测量 | 第53-54页 |
| ·极紫外多层膜的制备 | 第54页 |
| ·制备[Mo/Si]^40多层膜 | 第54页 |
| ·制备[Mo/Si]^40 SiC多层膜 | 第54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第6章 极紫外多层膜的性能检测 | 第56-64页 |
| ·XRD检测及拟合结果 | 第56-58页 |
| ·[Mo/Si]^40多层膜的XRD检测及拟合结果 | 第56-57页 |
| ·[Mo/Si]^40 SiC多层膜的XRD检测及拟合结果 | 第57-58页 |
| ·UV/VUV分光光度计检测及理论结果 | 第58-61页 |
| ·[Mo/Si]^40与[Mo/Si]^40 SiC多层膜带外波段反射率 | 第58-60页 |
| ·[Mo/Si]^40与[Mo/Si]^40 SiC多层膜极紫外波段反射率 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-64页 |
| 第7章 结论与展望 | 第64-66页 |
| ·全文总结 | 第64页 |
| ·研究展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第71-72页 |
| 指导教师及作者简介 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
