| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·常规 GaN 基异质结构材料及 HEMTs 器件的研究进展 | 第11-14页 |
| ·GaN 基半导体异质结构的特性与优势 | 第11-12页 |
| ·GaN 基异质结材料与 HEMTs 器件的研究进展 | 第12-14页 |
| ·GaN 基双异质结构 HEMTs 器件的研究进展及研究意义 | 第14-18页 |
| ·GaN 基双异质结构 HEMTs 器件的研究进展 | 第14-16页 |
| ·本课题组内 GaN 基双异质结构 HEMTs 器件的研究工作 | 第16-17页 |
| ·GaN 基双异质结构 HEMTs 器件的研究意义 | 第17-18页 |
| ·本文的研究内容与安排 | 第18-21页 |
| 第二章 GaN 基双异质结的理论基础研究 | 第21-35页 |
| ·GaN 基异质结形成的物理基础 | 第21-26页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结的能带理论 | 第21-22页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结的极化理论 | 第22-26页 |
| ·不同 GaN 基双异质结构的仿真与特点 | 第26-30页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN/GaN 双异质结构 | 第26-27页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN 双异质结构 | 第27-28页 |
| ·AlGaN/InGaN/GaN 双异质结构 | 第28-29页 |
| ·AlGaN/GaN/InGaN/GaN 双异质结构 | 第29-30页 |
| ·GaN 基异质结材料中的散射机制 | 第30-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 高迁移率 AlGaN/GaN/AlGaN 双异质结构材料特性 | 第35-51页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN 双异质结材料的生长与表征 | 第35-39页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN 双异质结构的仿真 | 第35-36页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN 双异质结材料的生长 | 第36-37页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN 双异质结材料的表征 | 第37-39页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN 双异质结材料的缓冲层优化与表征 | 第39-43页 |
| ·双层缓冲层结构 | 第39-40页 |
| ·样品的 XRD 研究 | 第40-42页 |
| ·样品的表面形貌和电特性研究 | 第42-43页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN 双异质结材料的沟道层优化与表征 | 第43-45页 |
| ·沟道层厚度优化结构 | 第43-44页 |
| ·样品电特性研究 | 第44-45页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN 双异质结材料的插入层优化与表征 | 第45-47页 |
| ·AlN 插入层结构 | 第45-46页 |
| ·样品电特性研究 | 第46-47页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN 双异质结材料变温电子输运特性 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 AlGaN/GaN/AlGaN 双异质结构器件特性研究 | 第51-67页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN 双异质结 HEMTs 制造 | 第51-53页 |
| ·AlGaN/GaN HEMTs 关键工艺技术 | 第51-53页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN 双异质结构 HEMTs 的制造工艺流程 | 第53页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN 双异质结 HEMTs 直流特性 | 第53-58页 |
| ·输出特性和转移特性 | 第54-55页 |
| ·DIBL 效应 | 第55-58页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN 双异质结 HEMTs 击穿特性 | 第58-60页 |
| ·漏源击穿 | 第58-59页 |
| ·栅漏击穿 | 第59-60页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN 双异质结 HEMTs 应力特性 | 第60-63页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN 双异质结 HEMTs 功率特性 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-67页 |
| 第五章 结束语 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-81页 |
| 硕士期间的科研成果和参加的科研项目 | 第81-83页 |
